[發明專利]帶隙基準和上電復位的復合功能電路及電子系統

有效

• 申請號: 201710273216.9
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN108733114B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 梁婷軒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張振軍;吳敏

1.一種帶隙基準和上電復位的復合功能電路，其特征在于，包括：

帶隙基準電路，由電源電壓供電并產生帶隙基準電壓，所述帶隙基準電路包括差分運算放大器；

比較器，所述比較器具有失調電壓，所述比較器適于對所述差分運算放大器的第一輸入端和第二輸入端的電壓進行比較，以產生上電復位信號；

失調電壓調節單元，耦接所述比較器，適于根據所述上電復位信號調節所述比較器的失調電壓，所述上電復位信號的邏輯電平指示所述帶隙基準電路處于上電或者掉電的狀態；

當所述帶隙基準電路上電時，所述上電復位信號為第一邏輯電平，所述失調電壓調節單元調節所述比較器的失調電壓等于第一失調電壓；當所述帶隙基準電路掉電時，所述上電復位信號為不同于所述第一邏輯電平的第二邏輯電平，所述失調電壓調節單元調節所述比較器的失調電壓等于第二失調電壓，所述第二失調電壓大于所述第一失調電壓。

2.根據權利要求1所述的復合功能電路，其特征在于，所述比較器包括：

第一放大MOS管，其控制端耦接所述比較器的第一輸入端和所述差分運算放大器的第一輸入端；

第二放大MOS管，其控制端耦接所述比較器的第二輸入端和所述差分運算放大器的第二輸入端。

3.根據權利要求2所述的復合功能電路，其特征在于，所述失調電壓調節單元包括：

第三放大MOS管，所述第三放大MOS管的控制端耦接所述第二放大MOS管的控制端，所述第三放大MOS管的輸出端耦接所述第二放大MOS管的輸出端；

數據選擇器，其控制端接入數據選擇信號，所述數據選擇信號根據所述上電復位信號產生，其輸出端耦接所述第三放大MOS管的輸入端，其第一輸入端耦接所述第三放大MOS管的輸出端，其第二輸入端耦接所述第二放大MOS管的輸入端，當所述上電復位信號為所述第一邏輯電平時，所述數據選擇信號控制所述數據選擇器的第一輸入端與其輸出端相連接，當所述上電復位信號為所述第二邏輯電平時，所述數據選擇信號控制所述數據選擇器的第二輸入端與其輸出端相連接。

4.根據權利要求3所述的復合功能電路，其特征在于，還包括：

反相器，其輸入端接入所述上電復位信號，其輸出端輸出所述數據選擇信號。

5.根據權利要求2所述的復合功能電路，其特征在于，所述第一放大MOS管的寬長比小于所述第二放大MOS管的寬長比。

6.根據權利要求2至5任一項所述的復合功能電路，其特征在于，所述比較器還包括：

偏置單元，耦接所述第一放大MOS管的輸入端和所述第二放大MOS管的輸入端，適于為所述第一放大MOS管和第二放大MOS管提供偏置電流；

第一電流鏡，其輸入端耦接所述第一放大MOS管的輸出端，其公共源極接地；

第二電流鏡，其輸入端耦接所述第二放大MOS管的輸出端，其公共源極接地；

第一反饋MOS管，其輸入端接入電源參考端，其輸出端耦接所述第一電流鏡的輸出端；

第二反饋MOS管，其輸入端接入所述電源參考端，其輸出端耦接所述第二電流鏡的輸出端以及所述比較器的輸出端，其控制端耦接所述第一反饋MOS管的控制端。

7.根據權利要求6所述的復合功能電路，其特征在于，所述偏置單元包括：

第一偏置MOS管，其輸入端接入所述電源參考端，其輸出端耦接所述第一放大MOS管和第二放大MOS管，其控制端接入偏置電壓。

8.根據權利要求7所述的復合功能電路，其特征在于，所述差分運算放大器包括：第四放大MOS管、第五放大MOS管和第二偏置MOS管，其中，所述第二偏置MOS管的輸出端耦接所述第四放大MOS管和所述第五放大MOS管，所述第二偏置MOS管的控制端接入所述偏置電壓。