[發明專利]一種光源模組

在審

• 申請號: 201710272541.3
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN108735723A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 李俊東;陳健平;張明武;李巖
• 申請（專利權）人: 深圳市斯邁得半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/13
• 分類號: H01L25/13;H01L33/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光源模組，其特征在于：它包含基板、至少一個第一發光二極管封裝結構以及至少一個第二發光二極管封裝結構；第一發光二極管封裝結構和第二發光二極管封裝結構均設置于基板上；所述的第一發光二極管封裝結構包含至少一顆第一發光二極管芯片以及由至少一種發射波長的第一熒光粉；所述的第一熒光粉發射波長介于470-570納米范圍之間；所述的第二發光二極管封裝結構包含至少一顆第二發光二極管芯片以及由至少兩種發射波長組成的第二混合型熒光粉；所述的第二混合型熒光粉主要含有590-670納米范圍的熒光粉，并摻合其它470-670納米范圍的熒光粉。

2.根據權利要求1所述的一種光源模組，其特征在于：所述的第一發光二極管封裝結構發出綠色或黃綠色的光線，所述的第一熒光粉的比例不同而產生多個不同的多個第一色度坐標點，所述的第一色度坐標點落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐標圖范圍外的上方，所述的這些第一色度坐標點會連成一條第一線段，所述第一線段大致上為直線，直線斜率大于0.95；所述的第二發光二極管封裝結構發出紅色或橙色或粉紅色的光線；所述的第二混合型熒光粉的比例不同而產生多個不同的多個第二色度坐標點，所述的第二色度坐標點落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐標圖范圍外的下方，所述的這些第二色度坐標點會連成一條第二線段，所述第二線段大致上為直線。

3.根據權利要求1所述的一種光源模組，其特征在于：所述的第一發光二極管封裝結構的光通量大于第二發光二極管封裝結構的光通量。

4.根據權利要求1所述的一種光源模組，其特征在于：所述的第一發光二極管封裝結構與第二發光二極管封裝結構混合貼裝在所述基板后發出光線的色度坐標落在ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008所提供的色度坐標圖的框內。

5.根據權利要求1所述的一種光源模組，其特征在于：所述的第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片的波長范圍介于265-470納米之間。

6.根據權利要求1所述的一種光源模組，其特征在于：所述第一熒光粉至少由一種第一發射波長熒光粉組成，第一發射熒光粉的波長介于470-570納米范圍之間。

7.根據權利要求1所述的一種光源模組，其特征在于：所述第二混合型熒光粉由至少一個第二發射波長熒光粉及至少一個第三發射波長熒光粉組成，所述的第二發射波長熒光粉的波長介于590-670納米范圍之間，所述的第三發射波長熒光粉的波長介于470-670納米范圍之間。

8.根據權利要求1所述的一種光源模組，其特征在于：所述第一發光二極管芯片的波長與第二發光二極管芯片的波長不完全相同。

9.根據權利要求1所述的一種光源模組，其特征在于：所述的第一發光二極管芯片的波長與第二發光二極管芯片的波長完全相同。

10.根據權利要求1所述的一種光源模組，其特征在于：所述的第一發光二極管封裝結構和第二發光二極管的數量完全相等時，所述第一發光二極管封裝結構和所述第二發光二極管封裝結構在封裝成型過程中可以合為一體，但所述第一熒光粉和所述第二混合型熒光粉不互相混合。

11.根據權利要求2所述的一種光源模組，其特征在于：所述的第一線段的斜率大于第二線段的斜率。