[發明專利]一種表征植物抗鹽能力的方法

有效

• 申請號: 201710272508.0
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN107121526B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: 吳沿友;艾哈邁德艾茲姆;黎明鴻;凱瑟賈韋德;邢德科;于睿
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: G01N33/00
• 分類號: G01N33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種表征植物抗鹽能力的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，實驗室內采用同樣規格的穴盤萌發植物種子，配制培養液培養植物幼苗至3葉期以上，選擇生長較為一致的幼苗作為被考察植物幼苗；

步驟二，將被考察植物幼苗分別培養在含有不同鹽逆境水平的培養液中；

步驟三，待被考察植物幼苗培養至兩周以上，以第一展開葉為考察對象，于同一時段測定其葉水勢W和生理電容CP，隨后測定植物的干重生物量DW；

步驟四，依據葉水勢W和生理電容CP計算葉片緊張度LT：，其中：W為植物組織水勢，MPa；i系解離系數，其值為1；R為氣體常數，0.0083L·MPa/mol·K；T為熱力學溫度K，T＝273+t℃，t為環境溫度；CP為植物葉片生理電容，F；真空介電常數ε₀＝8.854×10^-12F/m；a為細胞液溶質的相對介電常數，F/m；M為細胞液溶質的相對分子質量；

步驟五，利用兩參數指數衰減方程分別構建葉片生理電容CP與鹽逆境水平模型、葉片緊張度LT與鹽逆境水平模型；

具體為：葉片生理電容CP與鹽逆境水平模型為葉片緊張度LT與鹽逆境水平模型為其中a₁、a₂、b₁、b₂是模型常數，X_c為鹽逆境水平；

步驟六，利用直角雙曲線方程構建植物干重生物量DW與葉片生理電容CP的關系模型、植物干重生物量DW與葉片緊張度LT的關系模型；

具體為：植物干重生物量DW與生理電容CP的關系模型為植物干重生物量DW葉片緊張度LT的關系模型為其中m₁、m₂、n₁、n₂、DW₀₁和DW₀₂是模型常數；

步驟七，依據葉片生理電容CP、葉片緊張度LT與鹽逆境水平模型分別獲取鹽抑制指數I_cp和I_lt：鹽抑制指數I_cp為基于鹽抑制葉片生理電容CP的鹽抑制指數，且I_cp＝b₁；鹽抑制指數I_lt為基于鹽抑制葉片緊張度LT的鹽抑制指數，且I_lt＝b₂；

步驟八，利用植物干重生物量DW與葉片生理電容CP、葉片緊張度LT的關系模型分別獲取最大電容效率E_cp和最大緊張度效率E_lt：最大電容效率E_cp指的是單位電容變化下引起的植物最大生長效應，且E_cp＝m₁/n₁；最大緊張度效率E_lt指的是單位緊張度變化下引起的植物最大生長效應，且E_lt＝m₂/n₂；

步驟九，利用鹽抑制指數I_cp、I_lt和最大電容效率E_cp、最大緊張度效率E_lt表征植物的抗鹽性。