[發(fā)明專利]一種窄帶濾光片及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710272067.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-04-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106990466B | 公開（公告）日： | 2020-01-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 喬冠軍;李媛媛;侯海港;劉桂武;王明松;邵海成 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G02B5/28 | 分類號(hào)： | G02B5/28 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 窄帶 濾光 及其 制備 方法 | ||
1.一種窄帶濾光片，采用單晶Si作基板；雙面拋光，鍍膜材料選擇SiO和單晶Ge，在基板兩個(gè)表面上分別沉積主膜系和干涉截止膜系；其特征在于：在基板其中一個(gè)表面上沉積主膜系，其結(jié)構(gòu)為Air/1.576H 1.7L 4H L H L H L 4H L H L H L 4H L 0.386H 1.682L/Sub；在基板另外一個(gè)表面上沉積干涉截止膜系，其結(jié)構(gòu)為Sub/1.86H 1.56L 0.82H 0.71L0.21H 0.72L 1.79H 0.45L 1.86H 0.82L 1.79H 1.17L 1.71H 2.30L 1.81H 2.14L 2.11H1.76L 2.40H 2.25L 3.17H 2.36L 2.41H 2.64L 2.12H 2.14L 2.31H 2.22L/Air；膜系中符號(hào)含義分別為：Sub為基板，Air為空氣，H和L分別代表高折射率材料膜層Ge和低折射率材料膜層SiO的一個(gè)1/4波長(zhǎng)光學(xué)厚度，中心波長(zhǎng)λ＝2780nm，1H＝(4nH d)/λ；1L＝(4nL d)/λ。
2.如權(quán)利要求1所述的一種窄帶濾光片，其特征在于：所述單晶Si的厚度300±10μm，晶向<100>。
3.如權(quán)利要求1所述的一種窄帶濾光片，其特征在于：所述濾光片的中心波長(zhǎng)為2780nm，2745nm～2815nm波段平均透過率為91.69％，半高寬為80nm；除中心波長(zhǎng)2780nm帶寬80nm的通帶外，從1500～10000nm范圍內(nèi)的其余光譜全部截止，1500nm～2700nm平均透射率為0.114％，2900nm～8000nm平均透射率為0.053％。
4.如權(quán)利要求1所述的一種窄帶濾光片，其特征在于：所述濾光片僅具有46層膜層，且膜層總厚度僅有19.6μm。
5.如權(quán)利要求1所述的一種窄帶濾光片的制備方法，其特征在于：以晶硅Si為基板，一氧化硅SiO和鍺Ge為鍍膜材料，采用真空熱蒸發(fā)薄膜沉積的方法制備鍍膜層，Ge選用電子束蒸鍍，沉積速率為SiO選用多孔鉬舟電熱蒸鍍，沉積速率為開始蒸鍍真空度為1.0×10-3Pa，沉積溫度為200℃。
6.如權(quán)利要求4所述的一種窄帶濾光片的制備方法，其特征在于：采用光學(xué)監(jiān)控法控制膜層厚度，并輔以石英晶控控制沉積速率。
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