[發明專利]一種鹽水灌溉節點的獲取方法

有效

• 申請號: 201710272015.7
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN107085643B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 吳沿友;艾哈邁德艾茲姆;于睿;凱瑟賈韋德;邢德科;吳沿勝;黎明鴻
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50;G06Q50/02;A01G31/00
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種鹽水灌溉節點的獲取方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，實驗室內采用同樣規格的穴盤萌發植物種子，配制培養液培養幼苗至3葉期以上，選擇生長較為一致的幼苗作為被考察植物幼苗；

步驟二，將被考察植物幼苗分別培養在含有不同鹽逆境水平的培養液中；

步驟三，待被考察植物幼苗培養至兩周以上，以第一展開葉為考察對象，于同一時段測定其葉水勢W和生理電容CP，隨后測定植物干重生物量DW；

步驟四，依據葉水勢W和生理電容CP計算葉片緊張度LT；

步驟五，利用兩參數指數衰減方程分別構建葉片生理電容CP、葉片緊張度LT與鹽逆境水平模型；

步驟六，利用直角雙曲線方程構建植物干重生物量DW與葉片生理電容CP、葉片緊張度LT的關系模型；

植物干重生物量DW與生理電容CP的關系模型為植物干重生物量DW與葉片緊張度LT的關系模型為其中m₁、m₂、n₁、n₂、DW₀₁和DW₀₂是模型常數；

步驟七，依據植物干重生物量DW與葉片生理電容CP的模型中的參數取CP值，即植物生長量受到對應的鹽逆境水平抑制作用較小點和植物允許的生長量損失點，將CP值代入葉片生理電容CP與鹽逆境水平模型中，求出基于葉片生理電容的直灌點WI_cp和稀釋灌點WDI_cp；CP取值為3n₁和n₁，分別將CP＝3n₁和CP＝n₁代入葉片生理電容CP與鹽逆境水平模型中，求出對應的鹽逆境水平X_EC，即基于葉片生理電容的直灌點WI_cp和稀釋灌點WDI_cp；其中a₁、b₁是模型常數；

步驟八，依據植物干重生物量DW與葉片緊張度LT的模型中的參數取LT值，即植物生長量受到對應的鹽逆境水平抑制作用較小點和植物允許的生長量損失點，將LT值代入葉片緊張度LT與鹽逆境水平模型中，求出基于葉片緊張度的直灌點WI_lt和稀釋灌點WDI_lt；LT取值為3n₂和n₂，分別將LT＝3n₂和LT＝n₂代入葉片緊張度LT與鹽逆境水平模型中，求出對應的鹽逆境水平X_EC，即基于葉片緊張度的直灌點WI_lt和稀釋灌點WDI_lt；其中a₂、b₂是模型常數。

2.根據權利要求1所述的一種鹽水灌溉節點的獲取方法，其特征在于，所述步驟二中的鹽逆境水平以培養液的電導率表示。

3.根據權利要求1所述的一種鹽水灌溉節點的獲取方法，其特征在于，所述步驟四中計算葉片緊張度LT的公式為其中i系解離系數，R為氣體常數，T為熱力學溫度，ε₀為真空介電常數，a為細胞液溶質的相對介電常數，M為細胞液溶質的相對分子質量，W為植物組織水勢。