[發明專利]閃存裝置及閃存存儲管理方法

有效

• 申請號: 201710271879.7
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN107391026B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 楊宗杰;許鴻榮
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種閃存裝置和閃存存儲管理方法，所述閃存存儲管理方法包括：提供閃存模塊，所述閃存模塊包括多個單層單元數據區塊以及多層單元數據區塊；將欲寫入的數據分類為多個數據群；分別執行單層單元數據寫入以及執行類似獨立磁盤冗余陣列錯誤更正編碼操作產生對應校驗碼，以將所述多個數據群以及所述對應的校驗碼寫入至所述多個單層單元數據區塊；當完成所述多個單層單元數據區塊的寫入時，執行內部復制，將所述多個單層單元數據區塊所存儲的所述多個數據群以及所述對應校驗碼，依所述多個單層單元數據區塊存儲順序，依序寫入所述多層單元數據區塊。只需使用極低數據空間作為存儲相對應錯誤更正校驗碼之用，閃存數據空間使用效率更高。

技術領域

本發明涉及一種閃存裝置及閃存存儲管理方法，尤其涉及一種執行類似獨立磁盤冗余陣列的錯誤更正編碼操作的閃存裝置與存儲管理方法。

背景技術

一般來說，對于閃存控制器執行數據寫入以寫入一筆數據至單層單元數據區塊或是多層單元數據區塊，傳統的機制采用例如在一數據區塊的一字符線的最后一頁放置所述字符線的其他數據頁所對應的校驗碼，使得當發生寫入失敗、字符線斷路及字符線短路時可利用所述對應的校驗碼來進行一定程度的錯誤更正，然而，這樣的數據存儲率過低，例如一字符線如果包括8個數據頁，則僅有7個數據頁用來存數據，另一個數據頁是用來存儲校驗碼，這樣一來，一個數據區塊中將會有1/8的比例是用來存儲校驗碼，而非用來存儲數據，就用戶的角度來說，無法被接受。

發明內容

因此，本發明的目的之一在于公開一種閃存裝置及對應的閃存存儲管理方法，采用一種類似獨立磁盤冗余陣列的錯誤更正編碼操作，降低錯誤發生率，降低傳統機制所需要使用的校驗碼數目，同時適當地將所需要的校驗碼存儲于對應的數據頁位置，令發生寫入失敗、字符線斷路及字符線短路時仍可利用所需的校驗碼來進行一定程度的錯誤更正，解決了上述的問題。

根據本發明的實施例，公開了一種閃存裝置。閃存裝置包含有一閃存模塊與閃存控制器，閃存模塊包括多個單層單元數據區塊以及至少一多層單元數據區塊，閃存控制器具有多條信道分別連接至閃存模塊，閃存控制器將一筆欲寫入的數據分類為多群的數據，閃存控制器分別執行單層單元數據寫入以及執行一類似獨立磁盤冗余陣列的錯誤更正編碼操作產生一對應的校驗碼，以將多群的數據以及對應的校驗碼寫入至多個單層單元數據區塊；當完成多個單層單元數據區塊的寫入時，閃存模塊執行內部復制，將多個單層單元數據區塊所存儲的多群的數據以及對應的校驗碼，依數據的先后順序，依序搬移寫入至至少一多層單元數據區塊。

根據本發明的實施例，另公開了一種閃存存儲管理方法。所述方法包含有：提供一閃存模塊，所述閃存模塊包括多個單層單元數據區塊以及至少一多層單元數據區塊；將一筆欲寫入的數據分類為多群的數據；分別執行單層單元數據寫入以及執行一類似獨立磁盤冗余陣列的錯誤更正編碼操作產生一對應的校驗碼，以將多群的數據以及所述對應的校驗碼寫入至所述多個單層單元數據區塊；當完成所述多個單層單元數據區塊的寫入時，執行一內部復制，將所述多個單層單元數據區塊所存儲的所述多群的數據以及所述對應的校驗碼，依數據的先后順序，依序搬移寫入至所述至少一多層單元數據區塊。

附圖說明

圖1為本發明實施例的閃存裝置的裝置示意圖。

圖2為本發明第一實施例圖1所示的閃存控制器執行SLC數據寫入將某一群的數據寫入至閃存模塊內的一單層單元數據區塊以執行一次單層單元數據區塊寫入操作的示意圖。

圖3為閃存模塊內的一單層單元數據區塊通過內部復制將數據寫入至三層單元數據區塊的示意圖。

圖4為本發明第一實施例圖1所示的閃存控制器寫入三個群的數據至閃存模塊內的多個單層單元數據區塊并通過內部復制將數據搬移寫入至三層單元數據區塊而形成一個超級區塊的示意圖。

圖5為本發明第二實施例圖1所示的閃存控制器執行SLC數據寫入以寫入一個群的數據至閃存模塊內的單層單元數據區塊以完成一次單層單元數據區塊寫入操作的示意圖。