[發明專利]三氧化二鋁薄膜及其制備方法有效
| 申請號: | 201710271598.1 | 申請日: | 2017-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN107130228B | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | 王慷慨;熊玉明 | 申請(專利權)人: | 美的集團股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C18/12 | 分類號: | C23C18/12 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 528311 廣東省佛山市順德區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三氧化二鋁薄膜 前驅體溶液 基板 制備 氣路控制系統 液相化學沉積 產業化生產 氣相沉積法 表面沉積 鍍膜效率 去離子水 燒結處理 真空維持 致密性好 工藝流程 結晶度 水溶膠 放入 沉積 配置 | ||
1.一種制備三氧化二鋁薄膜的方法,其特征在于,包括:
(1)配置前驅體溶液,其中,所述前驅體溶液包括α-Al2O3水溶膠、擬薄水鋁石、助劑和去離子水,所述α-Al2O3水溶膠中α-Al2O3的顆粒尺寸不大于80nm、固含量為5~30w/w%,且所述擬薄水鋁石的重量與所述α-Al2O3水溶膠和所述去離子水的總重量之比大于0%且不小于50%;
(2)提供干凈的基板,并將所述基板放入所述前驅體溶液中進行沉積處理;以及
(3)將表面沉積有所述前驅體溶液的基板進行燒結處理,以便獲得鍍有所述三氧化二鋁薄膜的基板。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述前驅體溶液進一步包括酸,且所述酸包括選自醋酸、檸檬酸、硝酸、鹽酸和水楊酸的至少之一。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述助劑包括聚乙烯吡咯烷酮和聚乙二醇的至少之一。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板由玻璃、不銹鋼、微晶玻璃和搪瓷鋼的至少一種形成。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述沉積處理的時間為1~60分鐘。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述燒結處理的溫度為300~1000攝氏度,時間為5~60分鐘。
7.一種三氧化二鋁薄膜,其特征在于,通過權利要求1~6任一項所述的方法制備的。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





