[發明專利]激光退火裝置及其退火工藝

在審

• 申請號: 201710271580.1
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN107275185A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 費國東
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/268;H01L21/67;H01L27/12
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司11250
• 代理人: 馬永芬

1.一種激光退火裝置，其特征在于，包括：

激光控制裝置，用于向基板表面的非晶硅薄膜發射激光束，使非晶硅薄膜結晶化為多晶硅薄膜；

傳感器，用于測量所述非晶硅薄膜的厚度；

第一控制器，用于根據所述傳感器獲取的數據生成控制信息，反饋給所述激光控制裝置，以調整所述激光控制裝置的參數。

2.根據權利要求1所述的激光退火裝置，其特征在于，所述激光控制裝置包括：

激光光源；

機械臂，用于調節所述激光光源的位置和角度；

第二控制器，根據所述第一控制器生成的所述控制信息，控制所述機械臂的動作和所述激光光源參數。

3.根據權利要求1或2所述的激光退火裝置，其特征在于，所述傳感器包括：

測量端，用于測量所述非晶硅薄膜的厚度；

輸出端，與所述第一控制器電連接，用于傳遞所述測量端采集的信息。

4.根據權利要求1至3任一項所述的激光退火裝置，其特征在于，所述第一控制器包括：

數據存儲單元，用于存儲所述非晶硅薄膜的不同厚度對應的工藝參數以及所述傳感器采集的數據；

數據處理單元，用于將所述傳感器采集的數據與所述工藝參數進行比對，生成所述控制信息。

5.根據權利要求1至4任一項所述的激光退火裝置，其特征在于，所述激光退火裝置還包括有承載裝置，所述承載裝置與所述第一控制器電連接，用于承載所述基板。

6.根據權利要求2至5任一項所述的激光退火裝置，其特征在于，所述激光光源為準分子激光光源。

7.一種激光退火工藝，其特征在于，包括如下步驟：

傳感器測量非晶硅薄膜的厚度；

第一控制器根據厚度信息生成控制信息反饋給激光控制裝置；

調整所述激光控制裝置的參數；

激光控制裝置向所述非晶硅薄膜發射激光束，使所述非晶硅薄膜結晶化為多晶硅薄膜。

8.根據權利要求7所述的激光退火工藝，其特征在于，所述生成控制信息的步驟包括：

形成非晶硅薄膜的不同厚度對應的工藝參數；

將所述傳感器采集的數據與所述工藝參數進行比對。

9.根據權利要求8所述的激光退火工藝，其特征在于，形成所述工藝參數的步驟包括：

測量非晶硅薄膜的厚度；

分別以不同參數向所述非晶硅薄膜發射所述激光束，獲得多晶硅薄膜；

對所述多晶硅薄膜進行性能測試。