[發(fā)明專利]蝕刻液組合物、顯示裝置用陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710271534.1
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN107316836B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設計）人: 劉仁浩;金寶衡;南基龍
• 申請（專利權(quán)）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L21/3213;C23F1/18;C23F1/44
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;宋海花

1.一種顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

a)在基板上形成柵極配線的步驟；

b)在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟；

c)在所述柵極絕緣層上形成半導體層的步驟；

d)在所述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟；及

e)形成與所述漏電極連接的像素電極的步驟，

所述a)步驟及d)步驟中的一個以上步驟包括：形成銅系金屬膜，且用蝕刻液組合物蝕刻所述銅系金屬膜的工序，

相對于組合物總重量，所述蝕刻液組合物包含15～25重量％的過氧化氫、0.01～5重量％的含氟化合物、0.1～5重量％的唑系化合物、0.5～3.0重量％的甘氨酸、2.0～5.0重量％的氨基磺酸、0.001～5重量％的多元醇型表面活性劑和余量的水。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，所述顯示裝置用陣列基板為薄膜晶體管陣列基板。

3.一種銅系金屬膜用蝕刻液組合物，相對于組合物總重量，包含15～25重量％的過氧化氫、0.01～5重量％的含氟化合物、0.1～5重量％的唑系化合物、0.5～3.0重量％的甘氨酸、2.0～5.0重量％的氨基磺酸、0.001～5重量％的多元醇型表面活性劑和余量的水。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅系金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述含氟化合物為選自由HF、NaF、NH₄F、NH₄BF₄、NH₄FHF、KF、KHF₂、AlF₃和HBF₄組成的組中的一種以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅系金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述唑系化合物為選自由吡咯系化合物、吡唑系化合物、咪唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、五唑系化合物、唑系化合物、異唑系化合物、噻唑系化合物和異噻唑系化合物組成的組中的一種以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅系金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述多元醇型表面活性劑為選自由甘油、三乙二醇和聚乙二醇組成的組中的一種以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅系金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述銅系金屬膜為選自由銅/鉬膜、銅/鉬合金膜、銅合金/鉬膜、和銅合金/鉬合金膜組成的組中的雙層膜。

8.一種顯示裝置用陣列基板，其包含由權(quán)利要求3所述的銅系金屬膜用蝕刻液組合物蝕刻而成的柵極配線、源電極和漏電極中的任一種以上。