[發明專利]晶圓級芯片封裝結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201710270853.0
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN107068629B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 馬書英;于大全
• 申請（專利權）人: 華天科技(昆山)電子有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 32212 昆山四方專利事務所
• 代理人: 盛建德;段新穎<國際申請>=<國際公布>

1.一種晶圓級芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

A.提供一具有若干芯片的原始晶圓，將原始晶圓切割成單顆芯片，并挑揀出性能良好的芯片，所述芯片包括基底及其正面的功能層，所述功能層包括功能區和位于所述功能區周邊的若干焊墊；

B.提供一基板，所述基板上表面通過微影技術設置與若干所述芯片一一對應的圍堰，將挑揀出的多顆芯片的功能層與基板上表面通過圍堰鍵合，且相鄰芯片之間具有間隙，形成重組晶圓；

C.在重組晶圓的各相鄰芯片之間設置填充層，所述填充層將相鄰芯片之間的空隙填滿，設置填充層的方式包括壓膜、注塑；然后將芯片基底上的填充層除去。

2.根據權利要求1所述晶圓級芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，步驟C之后，還有：

D.通過晶圓級封裝方法，在各芯片基底上開設通孔，開設方式包括微影技術和刻蝕，通孔由基底背面向正面延伸，露出焊墊表面；

E.在通孔內壁及基底背面沉積絕緣層，將通孔底部的絕緣層除去，露出焊墊表面；

F.在絕緣層上鋪設金屬層，所述金屬層覆蓋焊墊表面；

G.圖案化金屬層，形成金屬重布線層；

H.在金屬重布線層上設置阻焊層，并在預設導電體位置設開口；

I.在開口內設置導電體，連接金屬重布線層；

J.沿兩相鄰芯片之間的填充層位置切割重組晶圓，形成單顆的芯片封裝體。

3.根據權利要求2所述晶圓級芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述絕緣層或/和阻焊層延伸覆蓋在所述填充層上表面上。

4.根據權利要求2所述晶圓級芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述功能層與一基板通過圍堰鍵合后形成一將芯片的功能區收容在內的密封空腔，所述密封空腔內為真空環境。