[發明專利]光強分布的測量方法

有效

• 申請號: 201710270811.7
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN108731797B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 朱鈞;黃磊;金國藩;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: G01J1/00
• 分類號: G01J1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光強分布的測量方法，包括以下步驟：

S1,提供一光強分布的檢測系統，將所述光強分布的檢測系統設置在真空環境中，所述光強分布的檢測系統包括一碳納米管陣列、一反射鏡、一成像元件和一冷卻裝置，該碳納米管陣列設置于一生長基底；

S2,啟動所述冷卻裝置冷卻所述生長基底使所述生長基底與所述碳納米管陣列的接觸表面維持恒溫；

S3,用一待測光源照射所述碳納米管陣列，使該碳納米管陣列輻射出可見光，并持續冷卻所述生長基底使所述生長基底與所述碳納米管陣列的接觸表面維持恒溫；

S4,所述碳納米管陣列所輻射的可見光經所述反射鏡反射；

S5,利用所述成像元件對所述反射鏡所反射的可見光成像，讀出待測光源的光強分布。

2.如權利要求1所述的光強分布的測量方法，其特征在于，所述冷卻裝置設置在所述生長基底與所述成像元件之間，且所述冷卻裝置與遠離所述碳納米管陣列的所述生長基底的表面接觸設置。

3.如權利要求1所述的光強分布的測量方法，其特征在于，所述冷卻裝置為盛放有冷卻介質的裝置時，通過所述冷卻裝置的注入口將所述冷卻介質注入到腔體，在壓力作用下使其從所述冷卻裝置的輸出口流出，使所述冷卻裝置里的所述冷卻介質不斷循環持續冷卻所述生長基底。

4.如權利要求1所述的光強分布的測量方法，其特征在于，所述冷卻裝置為數字溫度控制裝置時，通過控制器精確調控所述數字溫度控制裝置的溫度冷卻所述生長基底。

5.如權利要求1所述的光強分布的測量方法，其特征在于，所述光強分布的檢測系統進一步包括多個溫度傳感器，該多個溫度傳感器設置在所述冷卻裝置與所述生長基底之間，所述冷卻裝置裝置包括多個冷卻單元，通過多個溫度傳感器檢測所述生長基底局部位置的溫度變化，通過該多個冷卻單元調控所述生長基底局部位置的溫度。

6.如權利要求1所述的光強分布的測量方法，其特征在于，所述碳納米管陣列具有一遠離所述生長基底的第一表面以及一與該第一表面相對設置且與所述生長基底接觸的第二表面，所述待測光源照射所述碳納米管陣列的第一表面，該碳納米管陣列輻射出可見光。

7.如權利要求6所述的光強分布的測量方法，其特征在于，所述待測光源沿著平行于所述碳納米管陣列中碳納米管軸向的方向照射所述碳納米管陣列的第一表面。

8.如權利要求1所述的光強分布的測量方法，其特征在于，在所述待測光源光照射方向上，所述冷卻裝置的橫截面積與所述生長基底的橫截面積相同。

9.如權利要求1所述的光強分布的測量方法，其特征在于，所述反射鏡的焦點落在碳納米管陣列的第一表面的中心位置。

10.如權利要求1所述的光強分布的測量方法，其特征在于，所述碳納米管陣列中碳納米管與基底的表面之間的角度為大于等于10度且小于等于90度。