[發(fā)明專利]一種陣列基板制程有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710270720.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107134432B | 公開(公告)日: | 2020-02-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳猷仁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/77 | 分類號(hào): | H01L21/77 |
| 代理公司: | 44312 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 王利彬 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 基板制程 | ||
本發(fā)明提供了一種陣列基板制程,包括:在一基板上形成一第一金屬層,蝕刻第一金屬層;沉積一絕緣層與基板及所述第一金屬層上;于絕緣層上,沉積一主動(dòng)層以及以歐姆接觸層;蝕刻主動(dòng)層及歐姆接觸層;于歐姆接觸層以及絕緣層上沉積一第二金屬層,并蝕刻第二金屬層;于第二金屬層以及絕緣層上沉積一保護(hù)層;于保護(hù)層上沉積一光阻層并進(jìn)行曝光及顯影;于彩色光阻層上直接沉積一透明導(dǎo)電層,并蝕刻所述透明導(dǎo)電層,以形成像素電極層。本發(fā)明的陣列基板制程通過簡(jiǎn)化其結(jié)構(gòu)以及生產(chǎn)流程,提高了生產(chǎn)線的效率與產(chǎn)能;并可節(jié)省生產(chǎn)設(shè)備以及掩膜板費(fèi)用,降低生產(chǎn)成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于顯示屏技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板制程。
背景技術(shù)
越來(lái)越多的液晶面板需要使用在薄膜晶體管(Thin-film transistor,簡(jiǎn)稱TFT)的陣列上制作彩色濾光膜(Color Filter on Array,簡(jiǎn)稱COA)的工藝來(lái)提升液晶面板曲面畫質(zhì)或藉此簡(jiǎn)化上板的結(jié)構(gòu)(例如:簡(jiǎn)化平面轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching,簡(jiǎn)稱IPS)液晶模式上板的平坦化層(Over Coat,簡(jiǎn)稱OC)結(jié)構(gòu))。
傳統(tǒng)COA結(jié)構(gòu)的液晶面板的陣列制程(Array)工藝流程如下:傳統(tǒng)COA結(jié)構(gòu)在柵極與源極制程完成之后,先進(jìn)行第一絕緣層的成型工序;而后再完成彩色光阻層C包括紅色光阻、綠色光阻以及藍(lán)色光阻)的涂布、曝光與顯影步驟;如果是搭配了白、紅、綠以及藍(lán)四色(white,red,green,blue,簡(jiǎn)稱WRGB)技術(shù)的液晶面板,則還需要進(jìn)行透明光阻層的涂布、曝光與顯影步驟。彩色光阻層或透明光阻層結(jié)構(gòu)完成之后再進(jìn)行第二絕緣層的成型工序,然后涂布光刻膠層(也叫光阻),并利用帶有通孔的掩膜板進(jìn)行曝光操作,之后再顯影與蝕刻以除去對(duì)應(yīng)于通孔處的位于陣列上方的第一絕緣層以及第二絕緣層,后續(xù)再除去光刻膠層以接續(xù)后面的像素電極(Pixel Electrode,簡(jiǎn)稱PE)制程。
薄膜晶體管液晶顯示器產(chǎn)業(yè)由于工藝復(fù)雜且設(shè)備投資巨大,所以生產(chǎn)的成本很高,隨著市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng),降低顯示屏的生產(chǎn)成本已是平板顯示行業(yè)必然的發(fā)展方向。因此,需要研發(fā)一種新的顯示面板的生產(chǎn)技術(shù),以進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種陣列基板制程,旨在進(jìn)一步降低顯示面板的生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種陣列基板的制程,包括以下步驟:
在一基板上形成一第一金屬層,蝕刻所述第一金屬層,以形成晶體管的柵極;
沉積一絕緣層于所述基板及所述柵極上;
于所述絕緣層上,沉積一主動(dòng)層及歐姆接觸層;
蝕刻所述主動(dòng)層及歐姆接觸層,以形成所述晶體管的通道;
于所述歐姆接觸層以及所述絕緣層上沉積一第二金屬層,并蝕刻所述第二金屬層以形成所述晶體管的源極與漏極;
于所述第二金屬層以及所述絕緣層上沉積一保護(hù)層;
于所述保護(hù)層上沉積一彩色光阻層并進(jìn)行曝光及顯影;
于所述彩色光阻層上直接沉積一透明導(dǎo)電層,并蝕刻所述透明導(dǎo)電層,以形成像素電極層,其中所述彩色光阻層是直接接觸所述透明導(dǎo)電層。
進(jìn)一步地,所述在一玻璃基板上形成一金屬層,蝕刻所述第一金屬層,以形成晶體管柵極的具體步驟包括:
基板清洗,去除異物;
成膜工藝,在干凈的基板表面,通過濺射沉積形成金屬薄膜;
上光阻,在已形成的金屬薄膜上面均勻涂覆一層光刻膠;
曝光,紫外線透過掩模板照射基板上的光刻膠,進(jìn)行曝光;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





