[發(fā)明專(zhuān)利]一種主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板及其制造方法、顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710270695.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107086220A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-08-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳猷仁 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/12 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44312 | 代理人: | 王利彬 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 主動(dòng) 開(kāi)關(guān) 陣列 及其 制造 方法 顯示 面板 | ||
1.一種主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步驟:
在一基板上形成主動(dòng)開(kāi)關(guān)的柵極、絕緣層、主動(dòng)層以及歐姆接觸層;
于所述歐姆接觸層以及所述絕緣層上形成所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)的源極與漏極;
于所述源極、漏極以及所述絕緣層上沉積一保護(hù)層;
于所述保護(hù)層上沉積一彩色濾光層并進(jìn)行曝光及顯影;
于所述彩色濾光層及保護(hù)層上沉積一層可被可見(jiàn)光穿透過(guò)的光刻膠層;
于所述光刻膠層上直接沉積一透明導(dǎo)電層,并蝕刻所述透明導(dǎo)電層,以形成像素電極層。
2.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法,其特征在于,所述在一形成主動(dòng)開(kāi)關(guān)的柵極的具體步驟包括:
基板清洗,去除異物;
成膜工藝,在干凈的基板表面,通過(guò)濺射沉積形成金屬薄膜;
上光阻,在已形成的金屬薄膜上面均勻涂覆一層光刻膠;
曝光,紫外線(xiàn)透過(guò)掩模板照射光刻膠,進(jìn)行曝光;
顯影,光刻膠曝光部分被顯影液溶解,留下部分圖案呈現(xiàn)所需形狀;
蝕刻,把基板放入對(duì)應(yīng)腐蝕液或腐蝕氣體中,腐蝕掉無(wú)光刻膠覆蓋的薄膜;
去光阻,去除殘余的光刻膠,留下所需形狀的金屬薄膜,以形成掃描線(xiàn)、包含主動(dòng)開(kāi)關(guān)的柵極以及共通電極。
3.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法,其特征在于,所述于所述歐姆接觸層以及所述絕緣層上形成所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)的源極與漏極的步驟具體包括:
成膜工藝,在所述歐姆接觸層以及所述絕緣層上,通過(guò)濺射沉積形成金屬薄膜;
上光阻,在已形成的金屬薄膜上面均勻涂覆一層光刻膠;
曝光,紫外線(xiàn)透過(guò)掩模板照射光刻膠,進(jìn)行曝光;
顯影,光刻膠曝光部分被顯影液溶解,留下部分圖案呈現(xiàn)所需形狀;
蝕刻,把基板放入對(duì)應(yīng)腐蝕液或腐蝕氣體中,腐蝕掉無(wú)光刻膠覆蓋的薄膜;
去光阻,去除殘余的光刻膠,留下所需形狀的金屬薄膜,以形成數(shù)據(jù)線(xiàn)、并于歐姆接觸層上定義出主動(dòng)開(kāi)關(guān)的源極及漏極。
4.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法,其特征在于,所述于所述保護(hù)層上沉積一彩色濾光層并進(jìn)行曝光及顯影的步驟具體包括:
在所述絕緣層上涂覆一層感光的第一有機(jī)感光層,掩模曝光、顯影,形成與像素對(duì)應(yīng)的第一濾光層;
在所述絕緣層上涂覆一層感光的第二有機(jī)感光層,掩模曝光、顯影,形成與像素對(duì)應(yīng)的第二濾光層;
在所述絕緣層上涂覆一層感光的第三有機(jī)感光層,掩模曝光、顯影,形成與像素對(duì)應(yīng)的第三濾光層。
5.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板的制造方法,其特征在于,沉積的所述光刻膠具有流平性。
6.一種主動(dòng)開(kāi)關(guān)陣列基板,其特征在于,包含:
基板;
主動(dòng)開(kāi)關(guān)的柵極,位于所述基板上;
絕緣層,位于所述基板及所述柵極上;
主動(dòng)層,位于所述絕緣層上,用來(lái)作為所述主動(dòng)開(kāi)關(guān)的通道;
歐姆接觸層,位于所述主動(dòng)層上;
主動(dòng)開(kāi)關(guān)的源極與漏極,位于所述歐姆接觸層及所述絕緣層上;
保護(hù)層,位于所述源極、漏極及絕緣層上;
彩色濾光層,位于所述保護(hù)層上,包含多個(gè)濾光單元;
光刻膠層,位于所述彩色濾光層及保護(hù)層上;其中,所述光刻膠層使用可被可見(jiàn)光穿透過(guò)的光刻膠沉積而成;
像素電極層,直接沉積于所述光刻膠層上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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