[發(fā)明專利]一種類金剛石復合薄膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710270549.6 | 申請日： | 2017-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN106929800B | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳立;吳德生;朱得菊 | 申請（專利權）人： | 信利光電股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 516600 廣東省汕*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 種類 金剛石 復合 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種類金剛石復合薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
a）將硅靶材在工作氣體與反應氣體的環(huán)境中進行磁控濺射，在襯底上沉積得到SiOxNy膜層；
所述工作氣體為氬氣，所述反應氣體為氧氣和氮氣；
b）在所述SiOxNy膜層表面復合含氫DLC膜層，得到類金剛石復合薄膜；
所述步驟a）中，氬氣流量為35~50sccm；氧氣流量為2~15sccm；氮氣流量為2~10sccm；
氬氣、氮氣和氧氣的體積比為20：（1~4）：（2~5）；
磁控濺射的氣壓為2.5~4.0mTorr；
所述SiOxNy膜層的厚度為6~15nm；所述含氫DLC膜層的厚度為3~10nm；其中，0＜x≤2，0＜y≤1.3。
2.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a）中，磁控濺射的工作電壓為300~350V。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a）中，磁控濺射的濺射功率為700~1500W，時間為15~30s。
4.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b）具體包括：以石墨為靶材在混合氣體環(huán)境中進行磁控濺射，在所述SiOxNy膜層表面沉積形成含氫DLC膜層，得到類金剛石復合薄膜；
所述混合氣體為氬氣和氫氣；
所述混合氣體的氣壓為2.5~4.0mTorr。
5.根據(jù)權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b）中，氬氣流量為25~40sccm，氫氣流量為10~20sccm；
氬氣與氫氣的體積比為3：（1~3）。
6.根據(jù)權利要求4或5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b）中，磁控濺射的工作電壓為400~700V；
磁控濺射的濺射功率為5.0~8.0kW ，時間為15~45s。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
