[發明專利]一種溫控半導體BOPET聚酯基膜及其生產工藝

有效

• 申請號: 201710269997.4
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN107116874B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 熊華俊;康國峰;項光永;李鋒;潘奇琦;吳云濤;稽魯平
• 申請（專利權）人: 浙江永盛科技有限公司
• 主分類號: B32B27/36
• 分類號: B32B27/36;B32B27/20;B32B33/00;C08L67/00;C08K3/36;C08K3/24;B29C48/18
• 代理公司: 浙江納祺律師事務所 33257
• 代理人: 鄭滿玉

本發明公開了一種溫控半導體BOPET聚酯基膜及其生產工藝，其技術要點是：包括ABCDE五層結構，C層為中間芯層，材料為大有光聚酯熔體；A/E層為上、下表層，材料包括SiO2抗粘結母粒及有光聚酯熔體，B/D層為半導體特性層，材料包括溫控半導體特性母粒、有光聚酯熔體；A層與E層材料具有如下質量百分比的組分：1％～2％的SiO2抗粘結母粒及98％～99％有光聚酯熔體；B/D層材料具有如下質量百分比的組分：20％～30％的半導體特性母粒及70％～80％有光聚酯熔體；C層材料為100%有光聚酯熔體。本發明通過溫控半導體母粒及抗粘結母粒與聚酯有光PET共混共擠成膜，將半導體特性層置于膜層夾層防止半導體特性層的脫落，提高特性薄膜的穩定性。

技術領域

本發明涉及一種溫控半導體BOPET聚酯基膜及其生產工藝。

背景技術

BOPET聚酯薄膜具有強度高、剛性好、透明、光澤度高等特點,可以通過涂布或真空鍍鋁的方式，提升其性能從而擴大的應用領域；涂布是在薄膜表面涂布一層某種特性高分子溶液，如本文類似的溫控半導體聚酯薄膜均是通過涂布具有溫控半導體特性的高分子溶液在聚酯薄膜表層來達到這一效果的；本發明通過對聚酯原料共混改性后通過熔體直拉實現BOPET基膜夾層具有溫控半導體特性；相比涂布法而言，本發明減少后道加工工序及成本，半導體特性穩定永久，不會像涂布法一樣表層的特性涂布溶劑易脫落造成特性消失。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種溫控半導體BOPET聚酯基膜及其生產工藝。

為實現上述目的，本發明提供了如下技術方案：

一種溫控半導體BOPET聚酯基膜在120℃以下可導,120℃以上絕緣，包括ABCDE五層結構，其特征在于：C層為中間芯層，材料為大有光聚酯熔體；A/E層為上、下表層，材料包括SiO2抗粘結母粒及有光聚酯熔體，B/D層為半導體特性層，材料包括半導體特性母粒、有光聚酯熔體；A層與E層材料具有如下質量百分比的組分：1％～2％的SiO2抗粘結母粒及98％～99％有光聚酯熔體；B層與D層材料具有如下質量百分比的組分：20％～30％的溫控半導體特性母粒及70％～80％有光聚酯熔體；C層材料為100%有光聚酯熔體。

優選的，A/E層厚度占10％～15％，B/D層厚度占15％～20％，C層厚度占40%。

優選的，SiO2抗粘結母粒及半導體特性母粒均是由有微米級二氧化硅、納米級溫控鐵電介質鈦酸鍶鋇分別與有光聚酯熔體采用共混方法制備所得。

所述的溫控半導體BOPET聚酯基膜的生產工藝，包括如下步驟：

步驟一：分別將2.5～3.5μm SiO2粉末和0.1～0.2μm鈦酸鍶鋇粉末與有光聚酯熔體共混后，經鑄帶切粒制成3%的SiO2母粒和10%半導體母粒；

步驟二：將A/E表層的SiO2母粒、B/D特性層中間芯層的有光聚酯熔體與中間芯層聚酯熔體分別送入五層共擠雙向拉伸設備并分別擠出，B/D層由一臺雙螺桿擠出機擠出；A/E層由一臺雙螺桿擠出機擠出；

步驟三：將A/E表層SiO2抗粘結母粒在270℃～285℃擠出熔融，經有光聚酯熔體混合稀釋成SiO2含量為1100～1400PPM有光聚酯熔體，經過計量泵計量輸送至過濾器過濾后至五層共擠模頭；B/D特性層在270℃～285℃擠出熔融，經有光聚酯熔體混合稀釋成特性介質含量為35000～50000PPM有光聚酯熔體，經過計量泵計量輸送過濾器過濾后至五層共擠模頭；C層中間芯層由聚酯熔體泵直接輸送有光聚酯熔體經主料計量泵計量后至五層共擠模頭；

步驟四：經五層共擠模頭擠出鑄片，擠出壓力控制45～50bar；在運轉的冷鼓上面快速冷卻，冷卻溫度控制30～35℃；

步驟五：再通過85℃～105℃預熱縱向和105℃～115℃橫向拉伸，縱向拉伸比控制3.5～3.8，橫向拉伸比控制在3.8～4.0；