[發(fā)明專利]一種新型復(fù)合絕緣材料制備方法及新型復(fù)合絕緣材料應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710268340.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107033545A | 公開(公告)日: | 2017-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杜伯學(xué);梁虎成;李進(jìn);張程;侯帥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C08L63/00 | 分類號(hào): | C08L63/00;C08K3/34;C08G59/44;H01B3/40 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所12201 | 代理人: | 程小艷 |
| 地址: | 300072*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 復(fù)合 絕緣材料 制備 方法 應(yīng)用 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及絕緣材料應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種新型復(fù)合絕緣材料制備方法及新型復(fù)合絕緣材料應(yīng)用。
背景技術(shù)
GIS在當(dāng)今電力系統(tǒng)中發(fā)揮著不可替代的作用,盆式絕緣子是GIS的主要絕緣部件。每年由于盆式絕緣子故障造成的GIS事故不在少數(shù),因此設(shè)法減少盆式絕緣子故障具有重要意義。運(yùn)行時(shí),盆式絕緣子承受極不均勻的電場(chǎng)作用,靠近中心導(dǎo)體的部分承受的場(chǎng)強(qiáng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于四周。這時(shí)如果盆式絕緣子表面有電荷聚集,在這種極不均勻的電場(chǎng)下極易發(fā)生沿面閃絡(luò)故障。本發(fā)明研發(fā)一種新型復(fù)合絕緣材料制備方法及絕緣材料的應(yīng)用,可以降低盆式絕緣子靠近中心導(dǎo)體區(qū)域的沿面場(chǎng)強(qiáng),從而減少沿面閃絡(luò)故障的發(fā)生。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提出一種新型復(fù)合絕緣材料制備方法及新型復(fù)合絕緣材料應(yīng)用。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種新型復(fù)合絕緣材料制備方法,包括如下步驟:
(1)、取經(jīng)過燒結(jié)的SiC顆粒充分研磨成SiC粉末,干燥處理SiC粉末,以去除殘留水分;
(2)、將上述步驟(1)干燥處理的SiC粉末加至純凈的環(huán)氧樹脂基體中,在-0.1MPa壓力下攪拌和超聲處理,混合均勻得到混合液A;
(3)、將固化劑加至上述步驟(2)中混合液A,在-0.1MPa壓力下攪拌混合均勻得到混合液B;
(4)、在-0.1MPa壓力下加熱上述步驟(3)中的混合液B至50-70℃,倒入潔凈模具中成型;
(5)、室溫靜置24小時(shí)以上,待其完全固化,拆除模具。
所述步驟(1)中SiC顆粒具有非線性電導(dǎo)率,SiC顆粒尺寸為20±1μm。
所述步驟(2)中環(huán)氧樹脂基體與所述步驟(1)中SiC顆粒的質(zhì)量比為10:0-7。
所述步驟(3)中固化劑為聚酰胺樹脂。
所述步驟(3)中固化劑與所述步驟(2)中環(huán)氧樹脂基體的質(zhì)量比為1:3。
本發(fā)明的另一技術(shù)方案是:一種根據(jù)上述制備方法制備的新型復(fù)合絕緣材料應(yīng)用,用于均勻沿面場(chǎng)強(qiáng)。
本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)有以下有益效果:
本發(fā)明直流電壓下可根據(jù)電場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行“智能”調(diào)節(jié),自動(dòng)均勻電場(chǎng)。即相同的電極結(jié)構(gòu)和電壓等級(jí)下,用本發(fā)明的新型復(fù)合絕緣材料生產(chǎn)的盆式絕緣子,其沿面電場(chǎng)最大值要遠(yuǎn)小于普通盆式絕緣子。如果將該材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的環(huán)氧浸紙絕緣應(yīng)用于直流套管,也可以起到均勻體電場(chǎng)分布的效果。另外,該材料還能加速電荷消散過程,抑制表面電荷和空間電荷的積聚。
附圖說明
圖1是直流GIS盆式絕緣子沿面電場(chǎng)分布:
(a)、隨著SiC添加量增加盆式絕緣子A面弧長(zhǎng)的沿面電場(chǎng)前度效果示意圖;
(b)、隨著SiC添加量增加盆式絕緣子B面弧長(zhǎng)的沿面電場(chǎng)前度效果示意圖。
圖2是有限元仿真GIS幾何模型。
圖3是不同SiC添加量的環(huán)氧樹脂復(fù)合絕緣材料體電導(dǎo)率。
具體實(shí)施方式
下面通過具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。本發(fā)明的實(shí)施例是為了更好地使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明,并不對(duì)本發(fā)明作任何的限制。
一種新型復(fù)合絕緣材料制備方法,首先取經(jīng)過燒結(jié)的SiC顆粒,尺寸為20±1μm,充分研磨成SiC粉末后在100±10℃的烘箱中烘干,去除SiC粉末中殘留水分;然后,將上述干燥處理后的SiC粉末加至純凈的環(huán)氧樹脂基體,環(huán)氧樹脂基體與SiC顆粒的質(zhì)量比為10:0-7,在-0.1MPa壓力下攪拌和超聲處理,使其均勻混合得到混合液A;取聚酰胺樹脂固化劑加至上述混合液A,聚酰胺樹脂與環(huán)氧樹脂基體的質(zhì)量比為1:3,在-0.1MPa壓力下攪拌使其均勻混合得到混合液B;在-0.1MPa壓力下加熱上述混合液B至50-70℃,倒入潔凈模具中成型;最后,室溫靜置24小時(shí)以上,待其完全固化,拆除模具。
根據(jù)上述制備方法制備新型復(fù)合絕緣材料的應(yīng)用,用于均勻沿面場(chǎng)強(qiáng)。
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