[發明專利]表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料、制備方法及其應用

在審

• 申請號: 201710268057.3
• 申請日: 2017-04-22
• 公開（公告）號: CN107117972A
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發明（設計）人: 查爾斯·羅伯特·克萊恩;成民主;李守棟;張健;馬寧;孫兆杰
• 申請（專利權）人: 山東硅元克萊恩新材料有限責任公司
• 主分類號: C04B35/565
• 分類號: C04B35/565;C04B35/622
• 代理公司: 青島發思特專利商標代理有限公司37212
• 代理人: 馬俊榮

1.一種表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料，其特征在于，以重量份數計，原料組成如下：

微米碳化硅斜方微晶須51-99.99份；

微米氧化鋁正交微晶須0.01-49.99份；

微米碳化硅/氧化鋁表面刻蝕復合材料0.01-49.99份；

所述微米碳化硅斜方微晶須、微米氧化鋁正交微晶須、微米碳化硅/氧化鋁復合材料表面均經過刻蝕處理；

高嶺土0.01-0.015份，高嶺土表面經過Na₂SiF₆處理；

氟化材料占高嶺土質量的2-4％。

2.根據權利要求1所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料，其特征在于，所述微米碳化硅微晶須復合材料中，所述微米碳化硅斜方微晶須與微米氧化鋁正交微晶須處于物理上的分離狀態。

3.根據權利要求1所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料，其特征在于，所述氧化鋁正交微晶須的長度為：1-20μm；微米碳化硅斜方微晶須的長度為1-20μm；所述微米碳化硅/氧化鋁表面刻蝕復合材料微晶須的長度為1-20μm。

4.根據權利要求1所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料，其特征在于，所述高嶺土的純度為99.99％。

5.根據權利要求1所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料，其特征在于，所述氟化材料為四氟乙烯或聚四氟乙烯。

6.一種權利要求1所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，步驟如下：

(1)將氧化鋁正交微晶須與表面刻蝕的微米碳化硅/氧化鋁微晶須復合材料摻雜到質量百分比為的微米碳化硅斜方微晶須中得到混合材料a；

(2)在干燥的高嶺土中加入Na₂SiF₆，對干燥的高嶺土進行表面處理；

(3)將氟化材料和經過表面處理的干燥的高嶺土混合，獲得混合材料b；

(4)加熱混合后混合材料a和混合材料b，得到微米碳化硅微米微晶須陶瓷基復合材料。

7.根據權利要求6所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，步驟如下：

(1)粉碎所述氧化鋁正交微晶須至1-20μm，并通過濕法刻蝕改變所述氧化鋁正交微晶須的所有表面；制備長度為1-20μm的微米碳化硅斜方微晶須，并通過濕法刻蝕改變所述氧化鋁正交微晶須的所有表面；制備長度為1-20μm微米碳化硅/氧化鋁表面刻蝕復合材料微晶須；

(2)將氧化鋁正交微晶須與表面刻蝕的微米碳化硅/氧化鋁微晶須復合材料摻雜微米碳化硅斜方微晶須中得到混合材料a；

(3)將干燥的高嶺土與Na₂SiF₆混合進行表面處理；

(4)將氟化材料和經過表面處理的干燥的高嶺土混合，獲得混合材料b；

(5)將混合材料a、混合材料b混合后在800-850℃加熱，以產生表面刻蝕的的微米碳化硅微晶須復合材料。

8.根據權利要求6所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料的制備方法，其特征在于，步驟(5)中，加熱時間為10-15分鐘。

9.一種復合涂料，其特征在于，包括權利要求1-8任一權項所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料。

10.一種絕緣材料，其特征在于，包括權利要求1-8任一權項所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料。

11.一種耐火阻燃材料，其特征在于，包括權利要求1-8任一權項所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料。

12.一種小型熱傳導管線材料，其特征在于，包括權利要求1-8任一權項所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料。

13.一種電子元件，其特征在于，包括權利要求1-8任一權項所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料。

14.一種機電設備，其特征在于，包括權利要求1-8任一權項所述的表面刻蝕的微米碳化硅微晶須陶瓷基復合材料。