[發明專利]用于碳化硅器件的碳基接觸結構

在審

• 申請號: 201710267613.5
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN107452605A
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: R·K·喬施;R·埃斯特夫;M·卡恩;G·安格
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/45
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 鄭立柱,張寧

1.一種形成用于半導體器件的接觸結構的方法，包括：

提供碳化硅襯底，所述碳化硅襯底具有在所述襯底中形成并且延伸至所述襯底的主表面的高摻雜碳化硅接觸區域；

形成碳基接觸區域，所述碳基接觸區域與所述高摻雜碳化硅接觸區域直接接觸并且延伸至所述主表面；

在所述碳基接觸區域上形成導體，從而所述碳基接觸區域插入在所述導體與所述高摻雜碳化硅接觸區域之間，

其中用于形成所述碳基接觸區域的熱預算被維持在低于誘使所述高摻雜碳化硅接觸區域的硅化的水平之下。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述碳接觸區域包括在形成所述導體之前在所述襯底的所述主表面上沉積碳，以便于形成在所述主表面之上的第一碳層，所述第一碳層被布置在所述高摻雜碳化硅接觸區域上。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述碳接觸區域包括在所述第一表面上沉積非晶碳層以及在形成所述導體之前石墨化所述第一碳層。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述主表面沿著單個平面延伸，以及其中所述第一碳層與所述主表面共平面。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述碳接觸區域進一步包括在所述襯底中形成在所述主表面之下并且在所述主表面處鄰接所述第一碳層的第二富碳層，所述第二富碳層被布置在所述高摻雜碳化硅接觸區域內。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，形成所述第二富碳層包括以下項中的至少一項：

將碳離子注入至所述襯底的所述主表面中；以及

處理所述襯底的所述主表面以便于從所述高摻雜碳化硅接觸區域移除硅原子。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述碳接觸區域包括，在形成所述導體之前，形成在所述主表面之下的富碳層，所述富碳層被布置在所述高摻雜碳化硅接觸區域內。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述富碳層包括將碳離子注入至所述襯底的所述主表面中。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述富碳層包括處理所述襯底的所述主表面以便于從所述摻雜的碳化硅接觸區域移除硅原子。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，處理所述襯底的所述主表面包括使用遠程等離子體源向所述主表面施加氟處理。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述導體包括金屬或金屬合金，所述金屬或金屬合金包括以下項中至少一項：鋁(Al)，銅(Cu)以及鈦(Ti)。

12.一種形成用于半導體器件的接觸結構的方法，包括：

提供碳化硅襯底，所述碳化硅襯底具有在所述襯底中形成并且延伸至所述襯底的主表面的高摻雜碳化硅接觸區域；

形成碳基接觸區域，所述碳基接觸區域與所述高摻雜碳化硅接觸區域直接接觸并且延伸至所述主表面；

在所述碳基接觸區域上形成導體，從而所述碳基接觸區域插入在所述導體與所述高摻雜碳化硅接觸區域之間，

其中在所述導體之前形成所述碳基接觸區域，以及

其中所述主表面沿著單個平面延伸。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，形成所述碳基接觸區域包括，在形成所述導體之前，在所述襯底的所述主表面上沉積碳以便于形成在所述主表面之上的第一碳層，所述第一碳層被布置在所述高摻雜碳化硅接觸區域上。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，形成所述碳基接觸區域包括將碳離子注入至所述襯底的所述主表面中以便于形成在所述主表面之下的富碳層，所述富碳層被布置在所述高摻雜碳化硅接觸區域內。

15.根據權利要求12所述的方法，其中，形成所述碳接觸區域包括處理所述襯底的所述主表面以便于從所述摻雜的碳化硅接觸區域移除硅原子，由此形成在所述主表面之下的富碳層，所述富碳層被布置在所述高摻雜碳化硅接觸區域內。

16.根據權利要求12所述的方法，其中，所述導體包括金屬或金屬合金，所述金屬或金屬合金包括以下項中的至少一項：鋁(Al)，銅(Cu)和鈦(Ti)。

17.根據權利要求12所述的方法，其中，所述導體包括鎳，以及其中用于形成所述碳基接觸區域以及用于形成所述導體的熱預算被維持在誘使所述高摻雜碳化硅接觸區域的硅化的水平之下。