[發明專利]低溫多晶硅薄膜及其制備方法、薄膜晶體管和顯示面板

有效

• 申請號: 201710267543.3
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN106847675B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 楊昕
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/44;C23C16/52;H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1362
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 林桐苒;李丹

1.一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，包括：

沉積三層以上具有不同膜質參數梯度的非晶硅層；其中，所述膜質參數包括折射率參數和/或導熱系數參數，所述具有膜質參數梯度是指非晶硅層的膜質參數逐層遞增或遞減；

對所述三層以上具有不同膜質參數的非晶硅層進行脫氫處理；以及

對脫氫處理后的非晶硅層進行晶化處理，形成低溫多晶硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述沉積三層以上具有不同膜質參數的非晶硅層包括：

在緩沖層上依次沉積三層以上具有膜質參數梯度的非晶硅層。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在緩沖層上依次沉積三層以上具有膜質參數梯度的非晶硅層的步驟中，通過控制等離子增強化學氣相沉積PECVD工藝中的溫度和/或氣體流量比例，在緩沖層上依次沉積三層以上具有膜質參數梯度的非晶硅層。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述通過控制PECVD工藝中的溫度和/或氣體流量比例，在緩沖層上依次沉積三層以上具有膜質參數梯度的非晶硅層包括：

通過PECVD工藝在緩沖層上依次沉積第一層非晶硅層至最后一層非晶硅層，其中，在沉積除第一層之外的非晶硅層時：

沉積當前非晶硅層所采用的溫度高于沉積前一層所采用的溫度；和/或

沉積當前非晶硅層所采用的硅烷相對于氫氣的氣體流量比例大于沉積前一層所采用硅烷相對于氫氣的氣體流量比例。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述對脫氫處理后的非晶硅層進行晶化處理的步驟中，采用準分子激光退火法對脫氫處理后的非晶硅層進行晶化處理。

6.根據權利要求1～5中任意一項所述的制備方法，其特征在于，

所述具有不同膜質參數的非晶硅層為4層。

7.根據權利要求1～5中任意一項所述的制備方法，其特征在于，

所述非晶硅層為納米硅薄膜層。

8.一種低溫多晶硅薄膜，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜為通過權利要求1-7任意一項所述的方法制備而成。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括權利要求8所述的低溫多晶硅薄膜。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求9所述的薄膜晶體管。