[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法以及半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710267226.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107305851B | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 團(tuán)野忠敏;松下司;錦澤篤志 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 李輝;張昊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 以及 | ||
本公開涉及半導(dǎo)體器件的制造方法以及半導(dǎo)體器件。在半導(dǎo)體器件的可靠性方面實(shí)現(xiàn)改進(jìn)。在形成樹脂密封部分以密封裸片焊盤、安裝在裸片焊盤上方的半導(dǎo)體芯片、多條引線和多條線之后,將半導(dǎo)體芯片的多個(gè)焊盤電極與引線電連接,利用旋轉(zhuǎn)刀切割樹脂密封部分和引線以制造半導(dǎo)體器件。在半導(dǎo)體器件中,從密封部分的下表面露出第一和第二引線的每一條的至少部分。第一和第二引線的作為其對(duì)應(yīng)切割表面的端面從作為樹脂密封部分的切割表面的密封部分的每個(gè)側(cè)面露出。第一引線的端面的下側(cè)與密封部分的上表面之間的距離小于與其相鄰的第二引線的端面的上側(cè)與密封部分的上表面之間的距離。
本公開引用于2016年4月22日提交的日本專利申請(qǐng)第2016-086431號(hào)的公開,包括說明書、附圖和摘要,其全部?jī)?nèi)容以引用的方式引入本申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法以及半導(dǎo)體器件,并且可適當(dāng)?shù)乩缬糜谑褂靡€框的樹脂密封半導(dǎo)體器件的制造方法以及該半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)
通過在引線框的裸片焊盤上安裝半導(dǎo)體芯片,經(jīng)由多條線使半導(dǎo)體芯片的多個(gè)焊盤電極與引線框的多條引線電連接,然后在樹脂中密封包括焊盤電極、裸片焊盤、引線和線的半導(dǎo)體芯片,可以制造半導(dǎo)體封裝件形式的半導(dǎo)體器件。
日本未審查專利公開第2003-23134號(hào)(專利文獻(xiàn)1)、日本未審查專利公開第2008-113021號(hào)(專利文獻(xiàn)2)和日本未審查專利公開第2005-57067號(hào)(專利文獻(xiàn)3)中的每一個(gè)都描述了與使用引線框的樹脂密封半導(dǎo)體器件相關(guān)的技術(shù)。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)1]日本未審查專利公開第2003-23134號(hào)
[專利文獻(xiàn)2]日本未審查專利公開第2008-113021號(hào)
[專利文獻(xiàn)3]日本未審查專利公開第2005-57067號(hào)
發(fā)明內(nèi)容
在使用引線框的樹脂密封半導(dǎo)體器件中,還期望提高其可靠性。可替換地,期望減小半導(dǎo)體器件中包括的引線之間的空間。進(jìn)一步可替換地,期望提高半導(dǎo)體器件的可靠性并減小半導(dǎo)體器件中包括的引線之間的空間。
本申請(qǐng)的其他問題和新穎特征將從本說明書和附圖的闡述中變得明顯。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟:(a)提高具有芯片安裝部分和多條引線的引線框;(b)在芯片安裝部分上方安裝半導(dǎo)體芯片;以及(c)在步驟(b)之后,經(jīng)由多條線使半導(dǎo)體芯片的多個(gè)焊盤電極與引線電連接。制造半導(dǎo)體器件的方法還包括以下步驟:(d)在步驟(c)之后,形成密封半導(dǎo)體芯片、線、芯片安裝部分和引線的密封部分;以及(e),在步驟(d)之后,利用旋轉(zhuǎn)刀切割樹脂密封部分和引線。在步驟(d)中,從樹脂密封部分的下表面中露出每條引線的至少一部分。在步驟(e)中,從步驟(e)中得到的樹脂密封部分的切割表面露出從步驟(e)中得到的每條引線的切割表面。引線包括第一引線和緊鄰第一引線定位的第二引線。從步驟(e)得到的第一引線的切割表面的下側(cè)與樹脂密封部分的上表面之間的距離小于從步驟(e)得到的第二引線的切割表面的上側(cè)與樹脂密封部分的上表面之間的距離。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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