[發明專利]一種NANDFLASH陣列寫失敗的處理方法

在審

• 申請號: 201710266509.4
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN107102821A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 尹超;趙鑫鑫;李朋;姜凱
• 申請（專利權）人: 濟南浪潮高新科技投資發展有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 濟南信達專利事務所有限公司37100
• 代理人: 姜明

1.一種NAND FLASH陣列寫失敗的處理方法，其特征在于：當NAND FLASH陣列在寫過程中出現寫錯誤時，從備用塊RAM表中查找一個可替換塊的地址，并將數據搬移到新的替換塊中。

2.根據權利要求1所述的NAND FLASH陣列寫失敗的處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）首先，當NAND FLASH陣列出現寫錯誤時，Page計數器指針初始化為0，并記錄當前出錯時NAND FLASH的寫入Page地址；

（2）根據NAND FLASH陣列的行列號，確定出現錯誤的NAND FLASH，并從對應的備用塊RAM表中查找替換塊，確定新的BLOCK地址；

（3）向出錯的NAND FLASH發送讀Cache命令，將未寫入NAND FLASH中的數據寫入RAM中保存下來；

（4）判讀當前的Page指針是否等于出錯時的Page地址，如果不相等，則發送CopyBack Read命令，讀取Page指針對應地址的數據到Cache中，然后通過CopyBack Write命令將Cache數據寫入新的BLOCK 對應Page指針的地址，然后Page指針加1，繼續判斷Page指針是否等于出錯時的Page地址；如果Page指針等于出錯時的Page地址，則將RAM中保存的內容通過普通寫命令寫入新的BLOCK的對應Page地址，否則繼續執行相應的CopyBack命令進行數據搬移。

3.根據權利要求2所述的NAND FLASH陣列寫失敗的處理方法，其特征在于：所述步驟（3）中，RAM大小須能存儲NAND FLASH Cache內容。