[發明專利]硅片檢測方法及其所用的硅片承載裝置在審
| 申請號: | 201710265950.0 | 申請日: | 2017-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN108735856A | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發明(設計)人: | 張濟蕾;鄧浩;李夢飛;姚宏 | 申請(專利權)人: | 隆基綠能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 鐘歡 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 硅片承載裝置 檢測 插片部 擋齒 熱處理 承載架 微裂紋 冷卻 受熱均勻性 硅片放置 接觸換熱 直線排布 手柄 點接觸 桿本體 熱應力 輔材 保證 | ||
1.硅片檢測方法,其特征在于,用于檢測識別具有微裂紋缺陷的硅片,包括步驟:
提供硅片承載裝置及待測硅片,將所述待測硅片放置于所述硅片承載裝置;
對置于硅片承載裝置的待測硅片進行熱處理;
冷卻前述經熱處理的待測硅片;以及
檢測前述經冷卻后的待測硅片是否具有微裂紋缺陷。
2.根據權利要求1所述的硅片檢測方法,其特征在于,在對所述待測硅片進行熱處理的步驟中,將所述待測硅片及承載所述待測硅片的硅片承載裝置置于80℃~500℃的加熱裝置內,在該溫度下保溫10~30min,以確保所述待測硅片受熱均勻。
3.根據權利要求1所述硅片檢測方法,其特征在于,熱處理后的所述待測硅片置于水中進行冷卻。
4.根據權利要求1所述硅片檢測方法,其特征在于,利用硅片分選機檢測經冷卻后未破損的所述待測硅片是否具有微裂紋缺陷。
5.根據權利要求2所述硅片檢測方法,其特征在于,所述待測硅片的熱處理溫度為100~400℃。
6.根據權利要求2所述硅片檢測方法,其特征在于,所述加熱裝置選用馬弗爐。
7.用于如權利要求1-6任一項所述的硅片檢測方法的硅片承載裝置,其特征在于,包括手柄(2)和放置所述待測硅片的承載架(1),所述手柄(2)與承載架(1)可拆卸式連接,所述承載架(1)上具有用于插入所述待測硅片的一體式擋齒。
8.根據權利要求7所述用于硅片檢測方法的硅片承載裝置,其特征在于,所述承載架(1)包括兩平行端板(11),在兩端板(11)的內側面之間平行設置至少一根支撐桿(12)和至少兩根插片桿(13),所述支撐桿(12)位于插片桿(13)的下方,所述插片桿(13)分別位于所述支撐桿(12)的兩側,所述插片桿(13)表面具有所述一體式擋齒,所述待測硅片插入于兩側插片桿(13)的一體式擋齒之間,所述端板(11)的外側面上設置有連接手柄(2)的卡扣件(14)。
9.根據權利要求8所述用于硅片檢測方法的硅片承載裝置,其特征在于,所述承載架(1)包括三根支撐桿(12)和四根插片桿(13),其中一根支撐桿(12)連接兩端板(11)的基部(112)中心,另兩根支撐桿(12)均勻分布在位于基部(112)中心處的支撐桿(12)的兩側,在兩端板(11)的側部(111)各均勻連接兩根插片桿(13)。
10.根據權利要求8或9所述用于硅片檢測方法的硅片承載裝置,其特征在于,所述插片桿(12)包括桿本體部(131)和插片部(132),桿本體部(131)連接兩端板(11)的側部(111),在桿本體部(131)的中部位置向外凸起形成插片部(132),所述插片部(132)表面具有用于插入待測硅片的呈直線排布的所述一體式擋齒。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





