[發(fā)明專利]切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合帶及半導體裝置的制造方法

在審

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• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN107331645A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設計）人: 宍戶雄一郎;高本尚英;大西謙司;木村雄大
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

技術領域

本發(fā)明涉及切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合帶及半導體裝置的制造方法。

背景技術

有具備基材層、位于基材層上的粘合劑層以及位于粘合劑層上的粘接劑層的、切割用且芯片接合用的薄膜。也有具備基材層和位于基材層上的粘接劑層的、切割用且芯片接合用的薄膜。

若用切割刃切入這些薄膜的基材層，則會產生纖維狀屑。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-174963號公報

專利文獻2：日本特開2012-209363號公報

專利文獻3：日本特開2007-63340號公報

發(fā)明內容

發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明的一個實施方式的目的在于，提供能夠用切割的冷卻液將纖維狀屑洗掉的切割/芯片接合薄膜及切割/芯片接合帶。本發(fā)明的一個實施方式的目的在于，提供一種半導體裝置的制造方法。

用于解決問題的方案

本發(fā)明的一個實施方式涉及一種切割/芯片接合薄膜。切割/芯片接合薄膜包含切割支撐層和芯片接合層。切割支撐層的熔點為60℃～100℃。由于熔點為100℃以下，因此能夠用冷卻液將纖維狀屑洗掉。由于切割支撐層與切割刃的摩擦，能使切割支撐層熔化，能夠使纖維狀屑從切割支撐層脫離。切割支撐層在室溫下的拉伸模量為30N/m²～100N/m²。由于拉伸模量為100N/m²以下，因此有不易發(fā)生切割/芯片接合薄膜自切割環(huán)的剝離、切割支撐層的破裂的傾向。

本發(fā)明的一個實施方式涉及一種切割/芯片接合帶。切割/芯片接合帶包含隔膜和與隔膜接觸的切割/芯片接合薄膜。

本發(fā)明的一個實施方式涉及一種半導體裝置的制造方法。半導體裝置的制造方法包括對固定于切割/芯片接合薄膜的半導體晶圓進行切割的工序，和將通過對半導體晶圓進行切割的工序形成的、芯片接合前的芯片壓接在被粘物上的工序。

附圖說明

圖1為切割/芯片接合帶的俯視示意圖。

圖2為切割/芯片接合帶的一部分的截面示意圖。

圖3為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖4為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖5為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖6為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖7為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖8為變形例1中的切割/芯片接合帶的一部分的截面示意圖。

圖9為變形例2中的切割/芯片接合帶的一部分的截面示意圖。

圖10為變形例3中的切割/芯片接合帶的一部分的截面示意圖。

圖11為變形例4中的切割/芯片接合帶的一部分的截面示意圖。

具體實施方式

以下舉出實施方式詳細地對本發(fā)明進行說明，但本發(fā)明不僅限定于這些實施方式。

實施方式1

如圖1所示，切割/芯片接合帶1包含隔膜11和切割/芯片接合薄膜12a、12b、12c、……、12m(以下，總稱為“切割/芯片接合薄膜12”。)。切割/芯片接合帶1可以呈卷狀。隔膜11呈帶狀。隔膜11為例如進行了剝離處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。切割/芯片接合薄膜12位于隔膜11上。切割/芯片接合薄膜12a與切割/芯片接合薄膜12b間的距離、切割/芯片接合薄膜12b與切割/芯片接合薄膜12c間的距離、……切割/芯片接合薄膜12l與切割/芯片接合薄膜12m間的距離是恒定的。切割/芯片接合薄膜12呈圓盤狀。

如圖2所示，切割/芯片接合薄膜12可以包含晶圓固定部12A和切割環(huán)固定部12B。切割環(huán)固定部12B位于晶圓固定部12A的周邊。

切割/芯片接合薄膜12包含切割支撐層122。切割支撐層122呈圓盤狀。切割支撐層122的厚度例如為50μm～150μm。切割支撐層122的兩面是用與芯片接合層121接觸的第1主面和與第1主面相對的第2主面來定義的。切割支撐層122的第1主面可以涂布有底涂劑。