[發明專利]一種光伏電站集成控制系統

有效

• 申請號: 201710265458.3
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN107068799B
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 徐晨;陳帥梁;陳琳;顧運莉
• 申請（專利權）人: 江蘇天雄電氣自動化有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/18;H01L31/0224;H02S40/34
• 代理公司: 佛山粵進知識產權代理事務所(普通合伙) 44463
• 代理人: 張敏

本發明涉及一種光伏電站集成控制系統，所述光伏電站集成控制系統包括：分別連接到多個太陽能電池模塊的多個信號控制單元和連接到多個信號控制單元的最終電力輸出單元，多個信號控制單元分別執行最大功率點跟蹤操作，以確定每一太陽能電池模塊的最大功率，最終電力輸出單元選擇多個太陽能電池模塊分別獲得的最大功率中的最大功率作為最終功率，最終電力輸出單元將最終功率輸出到后續設備，所述太陽能電池模塊包括多個呈陣列排布的硅基異質結太陽能電池片。本發明的光伏電站集成控制系統可以選擇最大功率進行輸出。

技術領域

本發明涉及發電與儲能技術領域，特別是涉及一種光伏電站集成控制系統。

背景技術

近年來，隨著石油和煤炭等現有能源資源的枯竭，可再生能源替代現有能源的利益日益增加。在可再生能源中，太陽能發電產生的太陽能電池尤為突出。太陽能電池通常包括基板和發射極層，每個基板由半導體形成，電極分別形成在基板和發射極層上。形成襯底和發射極層的半導體具有不同的導電類型。在襯底和發射極層之間的界面處形成p-n結。當光入射到太陽能電池上時，在半導體中產生多個電子-空穴對。電子-空穴對被光電效應分離成電子和空穴。因此，分離的電子移動到n型半導體，并且分離的空穴移動到p型半導體，然后通過電連接的電極收集電子和空穴分別發射到發射極層和襯底。電極使用電線彼此連接，從而獲得功率。可以單獨使用太陽能電池，或者可以將具有相同結構的多個太陽能電池串聯或并聯連接，以制造有效使用和易于安裝的太陽能電池模塊。因此，期望數量的太陽能電池模塊可以彼此連接以制造模塊陣列，即太陽能電池板。用戶可以從太陽能電池板獲得功率。因此，如何設計一種輸出功率高的光伏電站集成控制系統，是業界亟待解決的問題。

發明內容

本發明的目的是克服上述現有技術的不足，提供一種光伏電站集成控制系統。

為實現上述目的，本發明提出的一種光伏電站集成控制系統，所述光伏電站集成控制系統包括：第一、第二、第三、第四太陽能電池模塊，分別連接到所述第一、第二、第三、第四太陽能電池模塊的第一、第二、第三、第四信號控制單元，以及連接到所述第一、第二、第三、第四信號控制單元的最終電力輸出單元，所述第一、第二、第三、第四信號控制單元基于所述第一、第二、第三、第四太陽能電池模塊的電流和電壓輸出而分別執行最大功率點跟蹤操作，以確定每一太陽能電池模塊的最大功率，并輸出該最大功率，最終電力輸出單元被配置為從所述第一、第二、第三、第四信號控制單元輸出的最大功率中選擇最大功率作為最終功率，并輸出該最終功率到后續設備，所述第一、第二、第三、第四太陽能電池模塊均包括多個呈陣列排布的硅基異質結太陽能電池片，所述硅基異質結太陽能電池片按照如下步驟制備：

（1）對N型硅片進行清洗，并對N型硅片的上表面進行制絨；

（2）將制絨后的N型硅片浸泡在氫氟酸溶液中20分鐘，去除N型硅片表面的自然氧化層，然后浸泡在飽和五氯化磷的二氯苯溶液中加熱至150℃保持3小時，將N型硅片取出后，分別經過二氯苯和四氫呋喃的清洗后，將N型硅片轉移至2mol/L甲基氯化鎂的四氫呋喃溶液中，85℃下反應6h，最后將N型硅片在鹽酸中浸泡60分鐘，以除去N型硅片表面的甲基氯化鎂，在N型硅片的制絨面形成Si-CH₃鈍化層；

（3）在N型硅片的制絨面上通過PECVD法依次制備本征非晶鍺薄膜和P型非晶鍺薄膜；

（4）在N型硅片的背面通過PECVD法依次制備本征非晶鍺薄膜和N型非晶鍺薄膜；

（5）在P型非晶鍺薄膜上形成P型石墨烯歐姆接觸層，在P型石墨烯歐姆接觸層上形成金屬鋁柵電極；

（6）在N型非晶鍺薄膜上通過熱蒸發法8-羥基喹啉鋁層，并在8-羥基喹啉鋁層上通過熱蒸發法沉積金屬鋁電極。

作為優選，在所述N型硅片的所述制絨面上的本征非晶鍺薄膜的厚度為100-200納米，所述P型非晶鍺薄膜的厚度為50-100納米。