[發(fā)明專利]顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710265315.2 | 申請日: | 2017-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN108735777B | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭百喬;朱夏青;李冠鋒;劉敏鉆;陳培杰 | 申請(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學(xué)工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
基板,包含顯示區(qū)與周邊區(qū),所述周邊區(qū)鄰設(shè)于所述顯示區(qū);
第一參考電壓線,設(shè)置于所述基板上且位于所述周邊區(qū),所述第一參考電壓線沿第一方向延伸,其中所述第一參考電壓線具有接觸部和第一覆蓋部,所述第一覆蓋部位于所述接觸部與所述顯示區(qū)之間;
第一絕緣層,設(shè)置于所述第一參考電壓線上,所述第一絕緣層具有一凹槽,所述凹槽沿所述第一方向延伸,所述凹槽暴露出所述接觸部,且所述第一絕緣層覆蓋所述第一覆蓋部;以及
第二參考電壓線,設(shè)置于所述第一參考電壓線上且位于所述周邊區(qū),所述第二參考電壓線沿所述第一方向延伸并與所述第一參考電壓線至少部分重疊,所述第二參考電壓線在所述凹槽與所述第一參考電壓線的所述接觸部接觸而具有接觸面;
其中,第二方向與所述第一方向垂直,所述接觸面在所述第二方向上具有的一第一寬度為W1微米,所述第一參考電壓線在所述第二方向上具有的第二寬度為W2微米,所述第一覆蓋部在所述第二方向上具有的一第三寬度為W3微米,所述W1、所述W2和所述W3符合關(guān)系式:
1微米≤W1≤(W2–W3),且所述W3大于0且小于W2/3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一參考電壓線具有第一厚度,所述第二參考電壓線具有第二厚度,所述第一厚度大于所述第二厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置還包括第二絕緣層,設(shè)置于所述第一參考電壓線與所述基板之間,所述第二絕緣層具有一通孔,其中部分的所述第一參考電壓線與部分的所述第二參考電壓線設(shè)置于所述通孔中,至少部分的所述通孔與所述凹槽重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第二參考電壓線具有第一側(cè)邊,所述凹槽的底部具有第二側(cè)邊,且所述第一側(cè)邊和所述第二側(cè)邊位于所述凹槽的同側(cè)且鄰近于所述顯示區(qū),其中所述第一側(cè)邊位于所述第二側(cè)邊和所述顯示區(qū)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其特征在于,至少部分的所述第一側(cè)邊或至少部分的所述第二側(cè)邊為曲線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置還包含多數(shù)條第三參考電壓線,設(shè)置于所述第一絕緣層上,所述多數(shù)條第三參考電壓線分別與所述第二參考電壓線連接并自所述周邊區(qū)延伸到所述顯示區(qū),且所述多數(shù)條第三參考電壓線分別沿所述第二方向延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其特征在于,所述第二參考電壓線在所述第二方向上的線寬大于所述多數(shù)條第三參考電壓線中至少一個在所述第一方向上的線寬。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其特征在于,所述凹槽在所述第一方向上具有一凹槽長度,所述多數(shù)條第三參考電壓線的相鄰兩條間隔第一距離,所述凹槽長度大于所述第一距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一絕緣層具有多個凹槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,所述多個凹槽的其中兩個的大小不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其特征在于,所述多個凹槽的其中一個的側(cè)邊包括一曲線。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述第一參考電壓線還包括一第二覆蓋部,所述第一覆蓋部與所述第二覆蓋部被所述第一絕緣層覆蓋并位于所述接觸部的相對兩側(cè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





