[發明專利]一種磷酸二氫鉀類晶體光學表面平坦化的方法

有效

• 申請號: 201710265058.2
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN106835035B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 劉衛國;周順;王泉;葛少博;惠迎雪;蔡長龍;陳智利
• 申請（專利權）人: 西安工業大學
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/10;C23C14/18;C30B33/00;C30B29/14
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114
• 代理人: 黃秦芳

1.一種磷酸二氫鉀類晶體光學表面平坦化的方法，包括以下步驟：

步驟（1）、準備經過單點金剛石車床車削拋光后的磷酸二氫鉀（KH₂PO₄）非線性光學晶體材料作為加工對象；

步驟（2）、采用離子束濺射沉積的方法在磷酸二氫鉀光學晶體材料表面沉積一層或復合層薄膜；

步驟（3）、經真空冷卻處理后在磷酸二氫鉀光學晶體材料表面形成一層表面粗糙度低的薄膜層，薄膜的上表面為平坦化表面；

所述步驟（2）中，所述薄膜的靶材料選用硅，靶材規格為536×114×10.5mm；濺射沉積的條件為：離子束電壓 500V，離子束電流 150mA，離子束加速電壓 300V，離子束加速電流100mA，工作氣體為氬氣，通氣流量：35sccm，工作壓強：5.71E-2Pa，離子束入射角45°，濺射沉積時間 1-2h；所述步驟（3）中，真空冷卻：溫度 25℃~50℃，時間4h~8h。

2.根據權利要求1所述的磷酸二氫鉀類晶體光學表面平坦化的方法，其特征在于：所述步驟（2）沉積一層機械性能良好、性質穩定、表面粗糙度低且致密的硅薄膜。

3.根據權利要求1所述的磷酸二氫鉀類晶體光學表面平坦化的方法，其特征在于：

所述步驟（2）中，濺射沉積時間 2h；

所述步驟（3）中，真空冷卻：溫度 25℃時間4h。

4.一種磷酸二氫鉀類晶體光學表面平坦化的方法，包括以下步驟：

步驟（1）、準備經過單點金剛石車床車削拋光后的磷酸二氫鉀（KH₂PO₄）非線性光學晶體材料作為加工對象；

步驟（2）、采用離子束濺射沉積的方法在磷酸二氫鉀光學晶體材料表面沉積一層或復合層薄膜；

步驟（3）、經真空冷卻處理后在磷酸二氫鉀光學晶體材料表面形成一層表面粗糙度低的薄膜層，薄膜的上表面為平坦化表面；所述步驟（2）中，所述薄膜的靶材料選用二氧化硅，靶材規格為536×114×10.5mm；濺射沉積的條件為：離子束電壓 500V，離子束電流 150mA，離子束加速電壓 300V，離子束加速電流 100mA，工作氣體為氬氣，通氣流量：35sccm，工作壓強：5.71E-2Pa，離子束入射角45°，濺射沉積時間 1-2h；所述步驟（3）中，真空冷卻：溫度25℃~50℃，時間4h~8h。

5.根據權利要求4所述的磷酸二氫鉀類晶體光學表面平坦化的方法，其特征在于：所述步驟（2）沉積一層機械性能良好、性質穩定、表面粗糙度低且致密的二氧化硅薄膜。