[發(fā)明專利]可見光區(qū)域納米結(jié)構(gòu)陣列增透膜及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710264960.2
• 申請(qǐng)日: 2017-04-21
• 公開（公告）號(hào): CN107015296A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志剛;馮尚申
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)州學(xué)院
• 主分類號(hào): G02B1/118
• 分類號(hào): G02B1/118;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 臺(tái)州市南方商標(biāo)專利事務(wù)所(普通合伙)33225
• 代理人: 白家駒

1.一種可見光區(qū)域SiO₂柱狀納米結(jié)構(gòu)陣列增透膜，其特征在于，包括石英襯底、SiO₂納米柱狀結(jié)構(gòu)陣列膜，SiO₂納米柱狀結(jié)構(gòu)陣列膜附著于石英襯底的上、下兩個(gè)表面；

所述SiO₂納米柱狀結(jié)構(gòu)陣列膜由多個(gè)SiO₂納米柱緊密排列為規(guī)則六方陣列；

所述SiO₂納米柱的直徑為50～100nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可見光區(qū)域SiO₂柱狀納米結(jié)構(gòu)陣列增透膜，其特征在于，所述兩層SiO₂納米柱狀結(jié)構(gòu)陣列膜的結(jié)構(gòu)尺寸相同。

3.一種可見光區(qū)域SiO₂柱狀納米結(jié)構(gòu)陣列增透膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步、對(duì)石英襯底進(jìn)行清洗；

第二步、在石英襯底的其中一面合成膠體晶體模板；

第三步、合成單面SiO₂納米柱狀結(jié)構(gòu)陣列膜；

工序一、磁控濺射Si膜；

工序二、制備SiO₂納米柱狀結(jié)構(gòu)陣列膜；

第四步、在石英襯底的另一面合成膠體晶體模板；

第五步、合成雙面SiO₂納米柱狀結(jié)構(gòu)陣列膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可見光區(qū)域SiO₂柱狀納米結(jié)構(gòu)陣列增透膜的制備方法，其特征在于，所述第二步中合成膠體晶體模板采用聚苯乙烯膠體球。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可見光區(qū)域SiO₂柱狀納米結(jié)構(gòu)陣列增透膜的制備方法，其特征在于，所述膠體球的直徑為50～100nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可見光區(qū)域SiO₂柱狀納米結(jié)構(gòu)陣列增透膜的制備方法，其特征在于，所述第三步中工序一的方法為：將第二步合成的帶有膠體晶體模板的石英襯底置于高真空磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中；將Si靶材放置于磁控濺射靶位，抽真空使真空度達(dá)到10^-8托以上；然后充入背底氣體氬氣，背底氣壓為8±2豪托，進(jìn)行濺射鍍膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可見光區(qū)域SiO₂柱狀納米結(jié)構(gòu)陣列增透膜的制備方法，其特征在于，所述濺射鍍膜的濺射功率為50±5瓦，預(yù)濺射時(shí)間不少于100秒，濺射時(shí)間300～600秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可見光區(qū)域SiO₂柱狀納米結(jié)構(gòu)陣列增透膜的制備方法，其特征在于，所述第三步中工序二的方法為：將工序一合成的樣品放置于管式燒結(jié)爐中，通入氧氣，在500℃以下熱處理4±0.5小時(shí)，一方面將聚苯乙烯膠體球燒掉，另一方面將Si納米柱氧化為SiO₂，從而得到單面SiO₂納米柱狀結(jié)構(gòu)陣列膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可見光區(qū)域SiO₂柱狀納米結(jié)構(gòu)陣列增透膜的制備方法，其特征在于，所述第五步的方法及其參數(shù)與第三步相同。