[發(fā)明專利]電子設(shè)備及具備ESD防護(hù)功能的芯片內(nèi)部電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710264366.3
• 申請日: 2017-04-21
• 公開（公告）號: CN108735729B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱衛(wèi)斌;鄒文安
• 申請（專利權(quán)）人: 上海和輝光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海隆天律師事務(wù)所 31282
• 代理人: 臧云霄;鐘宗

1.一種具備ESD防護(hù)功能的芯片內(nèi)部電路，所述芯片內(nèi)部電路與至少一外部電極連接；其特征在于，所述芯片內(nèi)部電路包括：

至少一MOS管元件；所述MOS管元件具有柵極電極、源極電極以及漏極電極；

所述MOS管元件的源極電極與所述外部電極連接，所述源極電極與所述外部電極之間串聯(lián)一ESD防護(hù)電阻，其中，所述柵極電極、源極電極以及漏極電極均為條形電極，所述MOS管元件包括第一柵極電極以及第二柵極電極、第一源極電極以及第二源極電極、漏極電極；

所述第一源極電極與所述第二源極電極平行設(shè)置；

所述漏極電極設(shè)于所述第一源極電極與所述第二源極電極之間且與所述第一源極電極以及第二源極電極平行；

所述第一柵極電極設(shè)于所述第一源極電極與所述漏極電極之間且與所述第一源極電極以及漏極電極平行；

所述第二柵極電極設(shè)于所述第二源極電極與所述漏極電極之間且與所述第二源極電極以及漏極電極平行；

所述第一柵極電極與所述第一源極電極之間的距離等于所述第二柵極電極與所述第二源極電極之間的距離；所述第一柵極電極與所述漏極電極之間的距離等于所述第二柵極電極與所述漏極電極之間的距離；

所述第一柵極電極與所述第一源極電極之間的距離小于所述第一柵極電極與所述漏極電極之間的距離，所述第二柵極電極與所述第二源極電極之間的距離小于所述第二柵極電極與所述漏極電極之間的距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片內(nèi)部電路，其特征在于，所述ESD防護(hù)電阻為Poly電阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片內(nèi)部電路，其特征在于，所述Poly電阻的阻值為200～300歐姆。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片內(nèi)部電路，其特征在于，所述MOS管元件包括第一柵極電極以及第二柵極電極、源極電極、第一漏極電極以及第二漏極電極；其中：

所述第一漏極電極與所述第二漏極電極平行設(shè)置；

所述源極電極設(shè)于所述第一漏極電極與所述第二漏極電極之間且與所述第一漏極電極以及第二漏極電極平行；

所述第一柵極電極設(shè)于所述第一漏極電極與所述源極電極之間且與所述第一漏極電極以及源極電極平行；

所述第二柵極電極設(shè)于所述第二漏極電極與所述源極電極之間且與所述第二漏極電極以及源極電極平行。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片內(nèi)部電路，其特征在于，其中：

所述第一柵極電極與所述第一漏極電極之間的距離等于所述第二柵極電極與所述第二漏極電極之間的距離；所述第一柵極電極與所述源極電極之間的距離等于所述第二柵極電極與所述源極電極之間的距離；

所述第一柵極電極與所述第一漏極電極之間的距離小于所述第一柵極電極與所述源極電極之間的距離，所述第二柵極電極與所述第二漏極電極之間的距離小于所述第二柵極電極與所述源極電極之間的距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片內(nèi)部電路，其特征在于，所述柵極電極為Poly電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片內(nèi)部電路，其特征在于，所述MOS管元件為PMOS管或者NMOS管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任意一項所述的芯片內(nèi)部電路，其特征在于，所述外部電極為信號輸入電極或者信號輸出電極。

9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1～8任意一項所述具備ESD防護(hù)功能的芯片內(nèi)部電路。