[發明專利]具有可控硅調光器的LED驅動電路、電路模塊及控制方法有效
| 申請號: | 201710263893.2 | 申請日: | 2017-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN106888524B | 公開(公告)日: | 2018-01-16 |
| 發明(設計)人: | 黃秋凱;王建新;陳惠強 | 申請(專利權)人: | 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 |
| 主分類號: | H05B33/08 | 分類號: | H05B33/08 |
| 代理公司: | 北京睿派知識產權代理事務所(普通合伙)11597 | 代理人: | 劉鋒,劉熔 |
| 地址: | 310012 浙江省杭州市文*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 可控硅 調光器 led 驅動 電路 模塊 控制 方法 | ||
1.一種電路模塊,應用于具有可控硅調光器的LED驅動電路,所述電路模塊包括:
泄放電路,被配置為與所述LED驅動電路的直流母線連接,在第一模式下泄放直流母線電流控制直流母線電壓以預定方式變化,在第二模式下關斷泄放通路,所述預定方式變化不包括將直流母線電壓恒定于預定值;以及
控制器,被配置為在檢測到所述可控硅調光器導通前控制所述泄放電路處于所述第一模式。
2.根據權利要求1所述的電路模塊,其特征在于,所述泄放電路被配置為在所述第一模式下控制直流母線電壓在預定的范圍內變化使得所述可控硅調光器導通時的直流母線電壓大于預定的負載驅動電壓。
3.根據權利要求1所述的電路模塊,其特征在于,所述控制器被配置為在檢測到所述可控硅調光器導通后控制所述泄放電路切換到所述第二模式。
4.根據權利要求2所述的電路模塊,其特征在于,所述泄放電路包括:
開關,受控關斷和導通;以及
最大電流箝位電路,與所述開關串聯,用于限制流過所述開關的泄放電流的最大值。
5.根據權利要求4所述的電路模塊,其特征在于,所述控制器被配置為在第一模式下控制所述開關交替關斷和導通,以使得所述直流母線電壓在第一閾值和第二閾值之間變化,在第二模式下控制所述開關關斷;
其中,所述第一閾值小于所述第二閾值。
6.根據權利要求5所述的電路模塊,其特征在于,所述控制器在直流母線電壓上升到第二閾值時控制所述開關導通,在直流母線電壓下降到第一閾值時控制所述開關關斷。
7.根據權利要求6所述的電路模塊,其特征在于,所述控制器在直流母線電壓上升到第三閾值時控制所述開關關斷;
其中,所述第三閾值大于所述第二閾值。
8.根據權利要求5所述的電路模塊,其特征在于,所述控制器在檢測到直流母線電壓大于第三閾值時判斷所述可控硅調光器導通;
其中,所述第三閾值大于所述第二閾值。
9.根據權利要求1所述的電路模塊,其特征在于,所述泄放電路被配置為在所述第一模式下控制直流母線電壓達到第四閾值后逐漸下降以使得所述可控硅調光器導通時的直流母線電壓大于預定的負載驅動電壓。
10.根據權利要求9所述的電路模塊,其特征在于,所述泄放電路包括:
晶體管;以及
最大電流箝位電路,與所述晶體管串聯,用于限制流過所述晶體管的泄放電流的最大值。
11.根據權利要求10所述的電路模塊,其特征在于,所述控制器被配置為在第一模式下控制所述晶體管工作在線性模式。
12.根據權利要求11所述的電路模塊,其特征在于,所述控制器在檢測到直流母線電壓上升到大于第五閾值時判斷所述可控硅調光器導通。
13.根據權利要求10所述的電路模塊,其特征在于,所述晶體管和所述最大電流箝位電路串聯連接在直流母線和接地端之間;
所述控制器被配置為在第二模式下關斷所述晶體管。
14.根據權利要求13所述的電路模塊,其特征在于,所述控制器包括:
跨導放大器,輸出端與所述晶體管的控制端連接,同相輸入端與所述直流母線連接;
第一控制開關,連接在所述跨導放大器的同相輸入端和反相輸入端之間;
第二控制開關、充電電容和放電電阻,并聯連接在所述跨導放大器的反相輸入端和接地端之間;以及
第三控制開關,連接在跨導放大器的輸出端和接地端之間;
其中,所述第一控制開關在所述直流母線電壓由起始閾值上升到第四閾值期間導通;所述第二控制開關在所述直流母線電壓上升到第五閾值時導通預定時間;所述第三控制開關在控制電路檢測到所述可控硅調光器導通后導通。
15.根據權利要求10所述的電路模塊,其特征在于,所述LED驅動電路具有設置于LED負載和接地端之間的恒流控制電路,所述恒流控制電路在負載電流通路上設置有與接地端連接的電阻;
所述晶體管和所述最大電流箝位電路串聯連接在直流母線的所述電阻之間,以使得在負載電流流過LED負載時所述最大電流箝位電路被關斷或最大箝位電流小于預定閾值。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于矽力杰半導體技術(杭州)有限公司,未經矽力杰半導體技術(杭州)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710263893.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





