[發明專利]AMOLED用金屬掩膜板的制造方法在審
| 申請號: | 201710263831.1 | 申請日: | 2017-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN108728790A | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發明(設計)人: | 邵仁錦;陳林森;浦東林;周小紅;張瑾;李曉偉;謝文 | 申請(專利權)人: | 蘇州蘇大維格光電科技股份有限公司;蘇州維業達觸控科技有限公司;蘇州大學 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12;C25D1/10 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人: | 楊波 |
| 地址: | 215026 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光刻膠圖形 金屬掩膜板 導電基板 金屬材料 蒸鍍 光刻膠 電鑄 生長 制造 尺寸大于金屬 表面涂布 尺寸一致 電鑄工藝 光刻膠光 加工成型 開口區域 四周邊緣 圖形光 掩膜板 光刻 覆蓋 去除 殘留 | ||
一種AMOLED用金屬掩膜板的制造方法,包括步驟:選取導電基板;在導電基板的表面涂布一層光刻膠;使光刻膠光刻出與金屬掩膜板的蒸鍍孔相對應的光刻膠圖形,但光刻出的光刻膠圖形的尺寸大于金屬掩膜板的蒸鍍孔的設計尺寸;在帶有光刻膠圖形的導電基板上進行電鑄過生長,使金屬材料的生長厚度大于光刻膠圖形的厚度,金屬材料同時將光刻膠圖形的四周邊緣覆蓋,直至光刻膠圖形未被金屬材料覆蓋的開口區域的尺寸與金屬掩膜板的蒸鍍孔的設計尺寸一致;去除導電基板上殘留的光刻膠。上述金屬掩膜板的制造方法只需要一次圖形光刻和電鑄工藝便可加工成型,工藝簡單,成本低廉,而且是通過在帶有光刻膠圖形的導電基板上電鑄過生長出金屬掩膜板,因此精度更高。
技術領域
本發明涉及AMOLED顯示技術領域,且特別涉及一種AMOLED用金屬掩膜板的制造方法。
背景技術
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩陣有機發光二極體)顯示器以其低功耗、高亮度、高對比度、廣視角、響應速度快、工作溫度范圍廣、易于做成柔性面板等優勢而被業界公認為是繼液晶顯示器之后的第三代顯示技術,可以廣泛用于智能手機、平板電腦、電視等終端產品。
AMOLED器件的發光層制備通常采用真空蒸鍍法,將有機發光材料蒸鍍到襯底基板上。常用的方法為掩膜蒸鍍法,在襯底基板的前面設置一層金屬掩膜板作為遮擋層,在金屬掩膜板的開口處將紅、綠、藍有機發光材料分別蒸鍍到顯示面板像素單元內。高像素密度(PPI,Pixels Per Inch)是AMOLED的發展趨勢,目前主流AMOLED器件的PPI在300~400之間,提高PPI的基本方法是提高金屬掩膜板的圖形精度。因此,制備出高精度金屬掩膜板成為生產高像素密度AMOLED器件的關鍵因素。
大開口尺寸的金屬掩膜板一般采用機械加工法,根據開口的圖形尺寸進行鉆、剪、銼、磨的加工方法;小開口尺寸(開口尺寸在30um-200um)的金屬掩膜板通常采用化學腐蝕法,通過紫外曝光、光刻膠顯影等工序形成掩膜板圖形,再利用化學溶液腐蝕金屬層獲得所需的金屬掩膜板。但是,化學腐蝕過程中無法避免地會產生側向腐蝕,導致在腐蝕穿金屬基板的同時無法保證掩膜板開口圖形的精度,或者,在保證掩膜板開口圖形精度的同時無法將金屬基板腐蝕穿,因此,化學腐蝕方法很難制備高精度(開口尺寸小于30um)的金屬掩膜板。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種成本較低,工藝簡單且制作精度更高的AMOLED用金屬掩膜板的制造方法。
本發明實施例提供一種AMOLED用金屬掩膜板的制造方法,包括步驟:
選取導電基板;
在導電基板的表面涂布一層光刻膠;
使光刻膠光刻出與金屬掩膜板的蒸鍍孔相對應的光刻膠圖形,但光刻出的光刻膠圖形的尺寸大于金屬掩膜板的蒸鍍孔的設計尺寸;
在帶有光刻膠圖形的導電基板上進行電鑄過生長,使金屬材料的生長厚度大于光刻膠圖形的厚度,金屬材料同時將光刻膠圖形的四周邊緣覆蓋,直至光刻膠圖形未被金屬材料覆蓋的開口區域的尺寸與金屬掩膜板的蒸鍍孔的設計尺寸一致;
去除導電基板上殘留的光刻膠。
進一步地,金屬材料在靠近金屬掩膜板的蒸鍍孔一側形成為錐角。
進一步地,錐角為45°。
進一步地,位于金屬掩膜板的兩個相鄰蒸鍍孔之間的金屬材料,其截面呈傘形。
進一步地,每個蒸鍍孔在遠離導電基板的上方敞口形成喇叭狀。
進一步地,每個蒸鍍孔在靠近導電基板的下方鏤空形成擴大空腔。
進一步地,導電基板為ITO導電玻璃、金屬鉻板或不銹鋼基板。
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