[發明專利]主動開關陣列基板及制造方法與應用的顯示面板

有效

• 申請號: 201710263554.4
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN107275339B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 簡重光
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;C23C16/44
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 亓贏

本發明關于一種主動開關陣列基板及制造方法與應用的顯示面板，所述主動開關陣列基板包括：一基板；一柵極電極，配置于所述基板上；一絕緣保護層，配置于所述柵極電極上；一半導體有源層，配置于所述柵極電極與所述絕緣保護層上；一有源層通道，形成于所述半導體有源層的上方中間凹陷處表層；一源極電極，配置于所述半導體有源層的一側上，與所述半導體有源層形成歐姆接觸；一漏極電極，配置于所述半導體有源層的另一側上，與所述半導體有源層形成歐姆接觸；以及一鈍化層，覆蓋于所述半導體有源層、所述源極電極與所述漏極電極上。其可透過制程參數的變更調整，不需增加制程步驟或花費，提升主動開關陣列基板的產品特性。

技術領域

本發明涉及一種主動開關陣列基板及制造方法與應用的顯示面板，特別是涉及一種主動開關陣列基板使用等離子體輔助化學氣相沉積制作鈍化層的制程改善方法。

背景技術

TFT(Thin Film Transistor)為主動開關陣列基板，在液晶顯示屏里用來控制顯示面板的顯像，是不可或缺的主要組件。

主動開關陣列基板配置有源極電極與漏極電極，當左側的源極電極上的電流要流通到在右側的漏極電極時，中間必須穿越在半導體有源層上方所形成的有源層通道。當位于半導體層下方的柵極電極施加驅動電壓時，在半導體層會產生一誘導電場來控制有源層通道的開通與否，此即為主動開關陣列基板的工作原理。上述的主動開關陣列基板是制作在玻璃基板上，此種工藝需要有物理氣相沉積(PVD)或化學氣相沉積(CVD)等半導體制程設備的投入。當使用等離子體輔助化學氣相沉積機臺來沉積主動開關陣列基板的鈍化層時，倘若機臺的制程條件未做好最合適的調整，在主動開關陣列基板上方最重要的有源層通道將會因為等離子體輔助化學氣相沉積機臺沉積時的離子轟擊而造成損傷，因而降低有源層通道的開/關比(Subthreshold Swings)與電子穿越通道的遷移速率(Mobility)，進而導致主動開關陣列基板整體的組件特性受到影響，其中又以氧化鋅系列的透明半導體材料(IZO，IGZO，AZO)所形成的有源層通道受到的影響最大，此一問題有待制程技術上的克服。

發明內容

為了解決現有制程技術問題，本發明的目的在于提供一種主動開關陣列基板的制造方法，包括下列步驟：提供一基板；濺射一金屬層于所述基板上，形成一柵極電極金屬層；依次沉積一絕緣保護層、一半導體有源層及一歐姆電極金屬層于所述柵極電極金屬層上；蝕刻所述半導體有源層中間上方的所述歐姆電極金屬層，使得所述半導體有源層的上方中間凹陷處表面形成一有源層通道，所述歐姆電極金屬層區分成一源極電極與一漏極電極于所述有源層通道二側；以及通過施予10～15Pa之間的壓力沉積一鈍化層于所述半導體有源層、所述源極電極與所述漏極電極上；利用一等離子體輔助化學氣相沉積機臺沉積所述鈍化層；所述等離子體輔助化學氣相沉積機臺以氬氣為工作氣體，所述氬氣的氣體流量為500～600cc/min。

在本發明的實施例中，利用一等離子體輔助化學氣相沉積機臺沉積所述鈍化層。

在本發明的實施例中，所述等離子體輔助化學氣相沉積機臺以氬氣為工作氣體，所述氬氣的氣體流量為500～600cc/min。

在本發明的實施例中，所述氬氣的氣體流量為550cc/min。

在本發明的實施例中，圖形化處理所述半導體有源層與所述金屬層。

本發明解決上述技術問題的方法是在主動開關陣列基板使用等離子體輔助化學氣相沉積機臺沉積鈍化層時，在機臺的工作腔內采用高氣體壓力、高氣體流量的方式來進行沉積。壓力提高可以縮短真空腔體中的自由分子活動路徑，有效地降低離子轟擊的能量而不會損傷有源層通道。提高工作腔內的氬氣(Ar)氣體流量可以讓硅甲烷(SiH₄)以及氨氣(NH₃)或一氧化二氮(N₂O)更有效的完全解離，不會對有源層通道造成傷害。因此采用此一沉積制程的條件確實有效地降低離子轟擊對主動開關陣列基板內部有源層通道的損傷，不需要另外增加制程步驟或花費，即可確保主動開關陣列基板仍可保有優良的特性。