[發(fā)明專(zhuān)利]一種固態(tài)硬盤(pán)及其內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對(duì)映方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710262947.3
• 申請(qǐng)日: 2017-04-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108733576B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林昱緯;胡豪;彭中德
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 得一微電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F12/02
• 分類(lèi)號(hào): G06F12/02
• 代理公司: 深圳市恒程創(chuàng)新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44542
• 代理人: 趙愛(ài)蓉

1.一種固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于，所述固態(tài)硬盤(pán)的內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對(duì)映架構(gòu)包括：第一層映射表和第二層映射表，其中，

所述第一層映射表用于記錄隨機(jī)存取數(shù)據(jù)；

所述第二層映射表包括連續(xù)存取映射表和隨機(jī)存取映射表，所述連續(xù)存取映射表用于記錄寫(xiě)入單元的對(duì)映關(guān)系，所述隨機(jī)存取映射表用于記錄隨機(jī)存取所述寫(xiě)入單元所對(duì)映的物理地址；

對(duì)于所述第一層映射表：所述寫(xiě)入單元為基本映射單位，一個(gè)所述寫(xiě)入單元包含多個(gè)邏輯塊號(hào)碼；

對(duì)于所述第二層映射表：所述連續(xù)存取映射表記錄全部所述寫(xiě)入單元所對(duì)映的物理地址；所述隨機(jī)存取映射表用于在所述第一層映射表內(nèi)的一個(gè)所述寫(xiě)入單元寫(xiě)滿(mǎn)后，將所述寫(xiě)入單元寫(xiě)入閃存內(nèi)存中，并更新所述隨機(jī)存取映射表內(nèi)所述寫(xiě)入單元所對(duì)映的物理地址；

所述第一層映射表和第二層映射表存放在靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)內(nèi)存中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于，固態(tài)硬盤(pán)的控制器包含多個(gè)信道，每個(gè)所述信道支持多顆閃存內(nèi)存。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于，所述寫(xiě)入單元為所述控制器一次同時(shí)對(duì)閃存內(nèi)存寫(xiě)入的單位。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的固態(tài)硬盤(pán)，其特征在于，所述固態(tài)硬盤(pán)為Non-DRAM固態(tài)硬盤(pán)。

5.一種固態(tài)硬盤(pán)的內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對(duì)映方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的固態(tài)硬盤(pán)，包括數(shù)據(jù)寫(xiě)入過(guò)程：

S11：在固態(tài)硬盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù)過(guò)程中，第一層映射表記錄寫(xiě)入的邏輯塊號(hào)碼；

S12：在所述邏輯塊號(hào)碼寫(xiě)滿(mǎn)一個(gè)寫(xiě)入單元后，判斷所述寫(xiě)入單元為連續(xù)寫(xiě)入還是隨機(jī)寫(xiě)入；

S13：若為連續(xù)寫(xiě)入，則更新第二層映射表的連續(xù)存取映射表內(nèi)所述寫(xiě)入單元所對(duì)映的物理地址，并將所述寫(xiě)入單元的數(shù)據(jù)寫(xiě)入閃存內(nèi)存中；

S14：若為隨機(jī)寫(xiě)入，則將所述寫(xiě)入單元的數(shù)據(jù)寫(xiě)入所述閃存內(nèi)存中，并更新所述第二層映射表的隨機(jī)存取映射表中所述寫(xiě)入單元所對(duì)映的物理地址。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固態(tài)硬盤(pán)的內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對(duì)映方法，其特征在于，還包括數(shù)據(jù)更新過(guò)程：

S21：在所述固態(tài)硬盤(pán)更新數(shù)據(jù)過(guò)程中，所述第一層映射表記錄隨機(jī)寫(xiě)入的所述邏輯塊號(hào)碼；

S22：在所述邏輯塊號(hào)碼寫(xiě)滿(mǎn)一個(gè)所述寫(xiě)入單元后，更新所述第二層映射表的所述隨機(jī)存取映射表內(nèi)所述寫(xiě)入單元對(duì)映的物理地址，并將所述寫(xiě)入單元的數(shù)據(jù)寫(xiě)入所述閃存內(nèi)存中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固態(tài)硬盤(pán)的內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對(duì)映方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)更新過(guò)程還包括：

S23：所述第一層映射表寫(xiě)滿(mǎn)所述邏輯塊號(hào)碼后，選擇包含所述邏輯塊號(hào)碼最多的所述寫(xiě)入單元；

S24：按照所述寫(xiě)入單元的所述連續(xù)存取映射表對(duì)映的物理地址讀取數(shù)據(jù)，并更新隨機(jī)寫(xiě)入所述寫(xiě)入單元內(nèi)所述邏輯塊號(hào)碼的數(shù)據(jù)；

S25：將更新后的數(shù)據(jù)寫(xiě)入所述閃存內(nèi)存中，并將所述寫(xiě)入單元的物理地址更新至所述第二層映射表的所述連續(xù)存取映射表；

S26：釋放所述第一層映射表內(nèi)所述寫(xiě)入單元的所述邏輯塊號(hào)碼。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固態(tài)硬盤(pán)的內(nèi)存轉(zhuǎn)換層對(duì)映方法，其特征在于，還包括數(shù)據(jù)讀取過(guò)程：

S31：在所述第一層映射表查找所述邏輯塊號(hào)碼是否存在；

S32：若存在，則從所述第二層映射表的所述隨機(jī)存取映射表得到所述邏輯塊號(hào)碼的物理地址；

S33：若不存在，則在所述第二層映射表的所述連續(xù)存取映射表中得到所述邏輯塊號(hào)碼的物理地址。