[發明專利]一種納米銀線石墨烯涂布導電膜的制作方法及其導電膜

有效

• 申請號: 201710262716.2
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN106992031B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 劉剛;楊衛衛;趙欽培;韓瑩瑩
• 申請（專利權）人: 青島元盛光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B1/04;H01B1/02;B82Y30/00
• 代理公司: 青島申達知識產權代理有限公司 37243
• 代理人: 蔣遙明

1.一種納米銀線石墨烯涂布導電膜的制作方法，其特征在于，工藝步驟包括：

①制備還原氧化石墨烯分散液，②調節還原氧化石墨烯分散液的濃度和黏度，按配比依次混入納米銀線和高分子導電聚合物，混勻分散得到石墨烯涂布液，③將石墨烯涂布液利用狹縫涂布裝置，涂布至基質上，④通過紫外光照或熱風干燥固化；

在步驟②中，所述還原氧化石墨烯分散液黏度調節為(1000-3000)Pa·s，所述還原氧化石墨烯涂布液質量配比組成為，石墨烯:納米銀:高分子導電聚合物＝(65-70)：(15.3-19.8)：(6.2-11.7)；

在步驟③中，通過狹縫涂布裝置對石墨烯涂布液進行擠出后刮涂至基質上，刮涂速率為(5-15)m/min，所述狹縫涂布裝置狹縫寬度為10um；

其中，石墨烯涂布液黏度越大，所得石墨烯涂布導電膜電阻越小。

2.根據權利要求1所述的納米銀線石墨烯涂布導電膜的制作方法，其特征在于，在步驟①中，所述還原氧化石墨烯通過修正的Hummers法進行制備。

3.根據權利要求2所述的納米銀線石墨烯涂布導電膜的制作方法，其特征在于，石墨烯制備方法包括：(1)石墨經強酸與高錳酸鉀氧化制備氧化石墨；(2)氧化石墨經片層剝離為氧化石墨烯；(3)氧化石墨烯利用水合肼還原制備為還原氧化石墨烯。

4.根據權利要求3所述的納米銀線石墨烯涂布導電膜的制作方法，其特征在于，所述片層剝離方法為溶液水浴超聲剝離。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的納米銀線石墨烯涂布導電膜的制作方法，其特征在于，所述石墨烯涂布液中石墨烯的濃度為0.01-10mg/ml；所述石墨烯分散液中石墨烯的直徑為0.5-10μm。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的納米銀線石墨烯涂布導電膜的制作方法，其特征在于，所述石墨烯涂布液中納米銀線濃度為0.01-3mg/ml；所述納米銀線的直徑為20-35nm，長度為6-10um；

所述高分子導電聚合物為聚乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸鈉溶液。

7.一種如權利要求1-6中任一項所述制作方法制備得到的石墨烯導電膜，其特征在于，透光率大于95％，片電阻小于0.05Ω/□。