[發(fā)明專利]CVD設備及其溫度控制方法與發(fā)熱體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710261801.7
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN108728828A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設計）人: 杜志游;鄭振宇;田保峽
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/458;C30B25/10;C30B25/12
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 朱成之

1.一種用于加熱可旋轉基片承載盤的發(fā)熱體，所述基片承載盤(40)的上表面用于承載一個或多個基片，所述發(fā)熱體配置于所述基片承載盤的下表面的下方；

所述發(fā)熱體至少包括加熱功率可獨立控制的第一加熱絲(S1)與第二加熱絲(S2)，用于加熱位于發(fā)熱體上方的基片承載盤下表面；所述第一加熱絲至少包括第一加熱段與第二加熱段，所述第二加熱絲包括至少一個加熱段；

所述第一加熱絲最近端到基片承載盤旋轉軸線(OO’)的距離記為S_1min，所述第一加熱絲最遠端到基片承載盤旋轉軸線(OO’)的距離記為S_1max；所述第二加熱絲最近端到基片承載盤旋轉軸線(OO’)的距離記為S_2min，所述第二加熱絲最遠端到基片承載盤旋轉軸線(OO’)的距離記為S_2max，由S_1min與S_1max確定的數(shù)值區(qū)間[S_1min，S_1max]與由S_2min與S_2max確定的數(shù)值區(qū)間[S_2min，S_2max]之間的交集不為空集；

所述第一加熱絲作用在基片承載盤上的圓周平均熱功率在沿以點(O’)為圓心的半徑方向上的分布，與所述第二加熱絲作用在基片承載盤上的圓周平均熱功率在沿所述半徑方向上的分布不同，其中，所述點(O’)為基片承載盤旋轉軸線(OO’)與基片承載盤下表面的交點。

2.如權利要求1所述的發(fā)熱體，其特征在于，所述第一加熱絲最近端、最遠端到基片承載盤旋轉軸線(OO’)的距離S_1min、S_1max分別與所述第二加熱絲最近端、最遠端到基片承載盤旋轉軸線(OO’)的距離S_2min、S_2max相等。

3.如權利要求1所述的發(fā)熱體，其特征在于，在基片承載盤的下表面內至少存在以所述點(O’)為圓心的兩個圓周，分別記為第一圓周與第二圓周，所述第一、二圓周的半徑值不相等且都落在[S_1min，S_1max]與[S_2min，S_2max]的交集內；

所述第一、二加熱絲在該兩個圓周上的圓周平均熱功率滿足以下條件：P_a1：P_b1≠P_a2：P_b2；

其中，P_a1為所述第一加熱絲(S1)作用在所述第一圓周上的圓周平均熱功率，P_b1為所述第一加熱絲作用在所述第二圓周上的圓周平均熱功率；

P_a2為所述第二加熱絲(S2)作用在所述第一圓周上的圓周平均熱功率，P_b2為所述第二加熱絲作用在所述第二圓周上的圓周平均熱功率。

4.如權利要求1所述的發(fā)熱體，其特征在于，所述第一、二加熱絲均為連續(xù)帶狀體。

5.如權利要求1所述的發(fā)熱體，其特征在于，同一加熱絲內相鄰加熱段之間通過一連接段連為一體。

6.如權利要求1所述的發(fā)熱體，其特征在于，所述第一、二加熱絲圍繞基片承載盤的旋轉軸線(OO’)排布。

7.如權利要求1所述的發(fā)熱體，其特征在于，所述發(fā)熱體整體位于同一平面內。

8.如權利要求7所述的發(fā)熱體，其特征在于，所述第一、二加熱絲的布線形狀相同，到基片承載盤旋轉軸線(OO’)的距離相等，第一、二加熱絲中的至少一對對應加熱段具有不同的電阻值，使得所述第一、二加熱絲作用在基片承載盤上的圓周平均熱功率在沿所述半徑方向上的分布不同。

9.如權利要求8所述的發(fā)熱體，其特征在于，所述第一、二加熱絲由相同材質制成，對應加熱段的寬度或/和厚度不同而使得它們的電阻值不同。