[發(fā)明專利]一種TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710261622.3
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN107086219B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高冬子
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 44280 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 鐘子敏<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入

1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：

利用光罩曝光顯影鋪設(shè)于所述TFT基板上的光阻層，以使曝光顯影后的所述光阻層包括第一部分及位于所述第一部分側(cè)邊的第二部分，且所述第一部分的最小厚度大于所述第二部分的最大厚度；

刻蝕位于所述光阻層下的所述TFT基板的第一金屬層；且使所述光阻層的所述第一部分不突出于所述刻蝕后的所述第一金屬層的側(cè)邊；

灰化所述光阻層，以去除所述光阻層的所述第二部分；

以所述光阻層的所述第一部分為掩膜，刻蝕設(shè)置于所述第一金屬層下的半導(dǎo)體層，以使所述半導(dǎo)體層的側(cè)邊不突出于所述刻蝕后的所述第一金屬層的側(cè)邊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述光阻層的所述第一部分與所述刻蝕后的所述第一金屬層的側(cè)邊對齊，以使所述半導(dǎo)體層的側(cè)邊與所述刻蝕后的所述第一金屬層的側(cè)邊對齊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述光罩包括襯底及設(shè)置于所述襯底兩端的半透膜；且所述半透膜包括與所述襯底的所述兩端貼合的第一部分及突出于所述襯底的所述兩端的第二部分；

利用所述設(shè)有所述半透膜的所述第一部分的光罩部分曝光顯影所述光阻層，以獲得所述光阻層的第一部分；利用所述設(shè)有所述半透膜的所述第二部分的光罩部分曝光顯影所述光阻層，以獲得所述光阻層的第二部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，

所述襯底還設(shè)有開口；所述半透膜還包括封閉所述開口的第三部分；

利用所述設(shè)有所述半透膜的所述第一部分及第三部分的光罩部分曝光顯影所述光阻層，以獲得所述光阻層的第一部分；利用所述設(shè)有所述半透膜的所述第二部分的光罩部分曝光顯影所述光阻層，以獲得所述光阻層的第二部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，

在所述以所述光阻層的所述第一部分為掩膜，刻蝕設(shè)置于所述第一金屬層下的半導(dǎo)體層，以使所述半導(dǎo)體層的側(cè)邊不突出于所述刻蝕后的所述第一金屬層的側(cè)邊之后還包括：

部分灰化所述光阻層的所述第一部分，以暴露所述第一金屬層；

以所述灰化后的所述光阻層的所述第一部分為掩膜，刻蝕所述第一金屬層及部分所述半導(dǎo)體層，以形成導(dǎo)電溝道。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，

在所述利用光罩曝光顯影鋪設(shè)于所述TFT基板上的光阻層，以使曝光顯影后的所述光阻層包括第一部分及位于所述第一部分側(cè)邊的第二部分，且所述第一部分的最小厚度大于所述第二部分的最大厚度之前還包括：

在基底上從下往上依次形成第二金屬層、絕緣層、所述半導(dǎo)體層、所述第一金屬層及所述光阻層；

在所述以所述灰化后的所述光阻層的所述第一部分為掩膜，刻蝕所述第一金屬層及部分所述半導(dǎo)體層，以形成導(dǎo)電溝道之后還包括：

去除所述灰化后的所述光阻層的所述第一部分；

在所述半導(dǎo)體層上，所述導(dǎo)電溝道的兩側(cè)分別形成源電極及漏電極。

7.一種TFT基板，所述TFT基板包括線路區(qū)域及非線路區(qū)域，且所述線路區(qū)域包括TFT區(qū)域，其特征在于，包括：

基底及從下往上依次設(shè)置于所述基底上的第一金屬層及絕緣層；

所述線路區(qū)域的所述絕緣層上還設(shè)有半導(dǎo)體層及第二金屬層；且所述半導(dǎo)體層的側(cè)邊不突出于所述第二金屬層的側(cè)邊；

所述TFT區(qū)域還設(shè)有導(dǎo)電溝道；所述導(dǎo)電溝道貫穿所述第二金屬層及部分所述半導(dǎo)體層；源極及漏極，分別設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上，所述導(dǎo)電溝道的兩側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT基板，其特征在于，

所述半導(dǎo)體層的側(cè)邊與所述第二金屬層的側(cè)邊對齊。