[發明專利]一種波導饋電全金屬雙極化平板天線陣列及其優化方法在審
| 申請號: | 201710261508.0 | 申請日: | 2017-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN106921047A | 公開(公告)日: | 2017-07-04 |
| 發明(設計)人: | 周世鋼;楊姜軍;彭昭航;李建瀛;韋高 | 申請(專利權)人: | 西北工業大學 |
| 主分類號: | H01Q21/00 | 分類號: | H01Q21/00;H01Q21/24;H01Q1/50;H01Q3/00 |
| 代理公司: | 西北工業大學專利中心61204 | 代理人: | 金鳳 |
| 地址: | 710072 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 波導 饋電 全金屬 極化 平板 天線 陣列 及其 優化 方法 | ||
1.一種波導饋電全金屬雙極化平板天線陣列,其特征在于:
本發明所提供的波導饋電全金屬雙極化平板天線采用2×2子陣天線,每個2×2子陣天線均采用四層結構,四層結構包括底饋層、側饋層、諧振腔層和輻射腔層,底饋層和側饋層的饋電網絡采用多級T型結構E面波導級聯方式,饋電主波導末端為同軸波導轉換結構,底饋層和側饋層的饋電網絡中的每個T型結構都均為臺階和凹槽形狀,臺階位于T型結構主波導兩側,臺階關于主波導中心線對稱,每個T型結構中的臺階初始為一級,當阻抗匹配無法滿足時臺階增加為兩級,臺階依次遞增,T型結構的凹槽位于T型結構與主波導口正對的分支波導,凹槽寬度與T型結構的波導寬度相同,底饋層的饋電單元末端通過彎波導結構與耦合腔相接,側饋層的饋電單元與耦合腔相連,底饋層和側饋層之間的L型臺階結構形成耦合腔,耦合腔正對饋電波導口面的為長方形調諧槽,諧振腔層采用三層階梯腔體形式,階梯第三層為交叉寬縫的邊緣結構,與輻射腔層相連,輻射腔層由等距2×2的4個交叉寬縫結構組成,實現天線口面場的輻射,將2×2子陣天線作為基本單元橫向復制2n*2m個單元平面擺放從而組成整個天線陣列,其中n、m取值為正整數。
2.一種權利要求1所述波導饋電全金屬雙極化平板天線陣列的優化方法,其特征在于包括下述步驟:
第一步:選取天線單元中需優化的尺寸參數
將需優化的參數包括縫隙寬度、縫隙位置、輻射縫隙層高度、階梯腔體高度、各階梯的寬度、耦合腔體中調諧塊的三維尺寸、長方體調諧槽的寬度、側面饋電處臺階尺寸、底面饋電彎波導切角尺寸和對應的天線尺寸分別選取對應的參數p1,p2,…pN;
第二步,明確天線優化目標并建立差分進化算法的目標函數
天線優化的目標包括天線帶寬內的電壓駐波比Vo、天線方向圖增益Go和出現柵瓣角度天線單元的相對電平值GLLo;
確立差分進化算法的目標函數,目標函數fitness(p1,p2,…pn)為fitness(p1,p2,…pn)=α×f1(p1,p2,…pn)+β×f2(p1,p2,…pn)+γ×f3(p1,p2,…pn),其中,α、β、γ分別為目標子函數f1、f2、f3的權重;
其中,p1,p2,…pn為n個對應的天線參數,Nfreq為頻率采樣點個數,VSWR(p1,p2,…pn,m)為第m個頻率點天線參數為p1,p2,…pn時的電壓駐波比,Gain(p1,p2,…pn,m)為第m個頻率點天線參數為p1,p2,…pn時的增益值,為第m個頻率點天線參數為p1,p2,…pn時在θ=±θm時的相對增益dB值,其中θm為掃描角度,Gain(p1,p2,…pn,m,±θm)第m個頻率點天線參數為p1,p2,…pn時在θ=±θm時的增益dB值,Gain(p1,p2,…pn,m,0)第m個頻率點天線參量參數值為p1,p2,…pn時在θ=0o時的增益值;
第三步:天線尺寸及電性能參數初值的產生
利用差分進化算法隨機產生M組天線尺寸,對每一組天線尺寸,利用FE-BI分析當天線參數為特定參數p1,p2,…pN時的電性能參數,電性能參數即天線帶寬內的電壓駐波比Vo、天線方向圖增益Go和出現柵瓣角度天線單元的相對電平值GLLo;
第四步:對天線尺寸及電性能參數進行優化
根據第二步中目標函數計算M個目標函數值,取最小值作為當代最優結果,如果最小值等于0則結束優化,如果最小值大于0則進入第五步;
第五步:進行差分進化算法的交叉和變異操作
使用差分進化算法的交叉操作和變異操作產生新一代的M組天線尺寸,重復第四步的操作,直到M個目標函數值均等于0,保存此時的天線尺寸參數為最優結果并結束優化循環操作。
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