[發(fā)明專利]晶圓表面平坦化方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710261391.6
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN108735590A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙厚瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種晶圓表面平坦化方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)提供一晶圓，所述晶圓包括相對的第一表面及第二表面；

2)在所述晶圓的第一表面形成第一固化平坦層；

3)對所述晶圓的第二表面進(jìn)行研磨處理；

4)去除所述第一固化平坦層；

5)在所述晶圓研磨處理后的第二表面形成第二固化平坦層；

6)對所述晶圓的第一表面進(jìn)行研磨處理；

7)去除所述第二固化平坦層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟2)中，在所述晶圓的第一表面形成第一固化平坦層包括如下步驟：

2-1)將所述晶圓置于真空吸盤表面，所述晶圓的第二表面與所述真空吸盤的表面相接觸；

2-2)將液態(tài)可固化樹脂滴覆于所述晶圓的第一表面，且使所述真空吸盤帶動所述晶圓旋轉(zhuǎn)，以在所述晶圓的第一表面形成第一樹脂層；

2-3)將所述第一樹脂層進(jìn)行平坦化處理；

2-4)將所述第一樹脂層固化以得到所述第一固化平坦層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟3)中，使用砂輪對所述晶圓的第二表面進(jìn)行研磨處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟3)中，使用2000目～50000目的砂輪對所述晶圓的第二表面進(jìn)行研磨處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟3)包括如下步驟：

3-1)使用2000目～10000目的砂輪對所述晶圓的第二表面進(jìn)行粗研磨；

3-2)使用3000目～50000目的砂輪對所述晶圓的第二表面進(jìn)行細(xì)研磨。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟5)中，在所述晶圓研磨處理后的第二表面形成第二固化平坦層包括如下步驟：

5-1)將步驟4)得到的所述晶圓置于真空吸盤表面，所述晶圓的第一表面與所述真空吸盤的表面相接觸；

5-2)將液態(tài)可固化樹脂滴覆于所述晶圓的第二表面，且使所述真空吸盤帶動所述晶圓旋轉(zhuǎn)，以在所述晶圓的第二表面形成第二樹脂層；

5-3)將所述第二樹脂層進(jìn)行平坦化處理；

5-4)將所述第二樹脂層固化以得到所述第二固化平坦層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟6)中，使用砂輪對所述晶圓的第一表面進(jìn)行研磨處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟6)中，使用2000目～50000目的砂輪對所述晶圓的第一表面進(jìn)行研磨處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟6)包括如下步驟：

6-1)使用2000目～10000目的砂輪對所述晶圓的第一表面進(jìn)行粗研磨；

6-2)使用3000目～50000目的砂輪對所述晶圓的第一表面進(jìn)行細(xì)研磨。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟1)與步驟2)之間還包括將所述晶圓置于雙端面磨床進(jìn)行預(yù)處理的步驟。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的晶圓表面平坦化方法，其特征在于：步驟7)之后，還包括對步驟7)得到的晶圓表面依次進(jìn)行刻蝕及拋光的步驟。