[發明專利]表面波等離子體加工設備

有效

• 申請號: 201710261107.5
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN108735567B
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 劉春明;韋剛
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒<國際申請>=<國際公布>

1.一種表面波等離子體加工設備，包括依次連接的微波發生裝置、微波傳輸機構、天線機構和反應腔室，其中，所述天線機構包括天線腔體、滯波板、縫隙板和介質窗，其中，所述天線腔體設置在所述反應腔室頂部；所述滯波板、縫隙板和介質窗由上而下依次內嵌在所述天線腔體內；所述微波傳輸機構用于向所述滯波板加載微波能量，其特征在于，所述介質窗包括介質本體，在所述介質本體內設置有調節分體，且所述調節分體的下表面與所述介質本體的下表面相平齊；并且，所述調節分體與所述介質本體為介電常數不同的電介質；其中，

所述調節分體為多個，且多個所述調節分體之間沒有間隔，多個所述調節分體的介電常數不同。

2.如權利要求1所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述調節分體的數量、介電常數、徑向寬度和/或位置根據使用單一介質常數介質窗的表面波等離子體加工設備進行工藝時，在該等離子體加工設備的反應腔室內產生的等離子體的密度分布情況進行設定。

3.如權利要求2所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述調節分體的介電常數大于所述介質本體的介電常數；

所述調節分體用于降低所述等離子體加工設備的反應腔室內對應所述調節分體所在區域產生的等離子體的密度分布。

4.如權利要求1所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述調節分體呈環狀，且在所述調節分體為多個時，各個調節分體的內徑不同，且相互嵌套。

5.如權利要求1所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，在所述介質本體的下表面設置有凹槽，所述凹槽的數量與所述調節分體的數量相對應，且各個調節分體一一對應地設置在各個凹槽中。

6.如權利要求1-5任意一項所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述調節分體的厚度小于所述介質本體的厚度。

7.如權利要求6所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述調節分體的厚度是所述介質本體的厚度的三分之一到四分之一。

8.如權利要求1-5任意一項所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述介質本體所采用的材料包括Si₃N₄或者SiO₂。

9.如權利要求1-5任意一項所述的表面波等離子體加工設備，其特征在于，所述調節分體所采用的材料包括Al₂O₃。