[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710260982.1
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN107611083A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發(fā)明（設計）人: 金鍾勛
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京弘權知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 任靜,李少丹

1.一種用于制造半導體器件的方法，包括：

在下部結構之上形成層疊絕緣膜，在所述層疊絕緣膜中第一層間絕緣膜、刻蝕停止膜和第二層間絕緣膜順序層疊；

通過刻蝕層疊絕緣膜來形成接觸孔；

通過在接觸孔內的第一層間絕緣膜和刻蝕停止膜中掩埋導電膜來形成接觸件；以及

形成耦接到接觸件的頂表面的金屬線。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，形成層疊絕緣膜包括：

在下部結構之上形成具有第一刻蝕選擇比的第一層間絕緣膜；

在第一層間絕緣膜之上形成具有第二刻蝕選擇比的刻蝕停止膜；以及

在刻蝕停止膜之上形成具有第一刻蝕選擇比的第二層間絕緣膜。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，形成層疊絕緣膜包括：

順序層疊氧化物膜、氮化物膜和氧化物膜。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，形成接觸孔包括：

以接觸孔的寬度與接觸孔的深度成比例地逐漸減小以及刻蝕停止膜的一些部分從接觸孔向內突出的方式來刻蝕層疊絕緣膜。

5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，形成接觸件包括：

在接觸孔的內側壁處形成阻障金屬膜；

從阻障金屬膜之中選擇性地刻蝕部分阻障金屬膜，所述部分阻障金屬膜不僅形成在第二層間絕緣膜的側壁處，而且還形成在刻蝕停止膜之上；

形成導電膜以掩埋接觸孔；以及

選擇性地刻蝕在其中不形成阻障金屬膜的區(qū)域中形成的導電膜。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，以由突出的刻蝕停止膜形成的直徑在尺寸上與接觸孔的底表面的直徑相同的方式來刻蝕所述刻蝕停止膜。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，形成金屬線包括：

在第二層間絕緣膜之上形成限定金屬線區(qū)域的光致抗蝕劑圖案；

通過使用光致抗蝕劑圖案作為刻蝕掩模來刻蝕第二層間絕緣膜直到接觸件被暴露來形成限定金屬線區(qū)域的溝槽；以及

形成導電膜以掩埋溝槽。

8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中，形成溝槽包括：

以溝槽的下部的寬度比溝槽的上部的寬度小的方式來傾斜地形成溝槽的側表面。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，形成溝槽包括：

以溝槽的下部的寬度與接觸件的頂表面的寬度相同的方式來形成溝槽。

10.一種半導體器件，包括：

層疊絕緣膜，其在下部結構之上，在所述層疊絕緣膜中第一層間絕緣膜、刻蝕停止膜和第二層間絕緣膜順序層疊；

接觸件，其具有掩埋在刻蝕停止膜中的上部和掩埋在第一層間絕緣膜中的下部；以及

金屬線，其形成為在與接觸件的頂表面同時接觸的同時沿第一方向前進，并且形成為掩埋在第二層間絕緣膜中，

其中，接觸件的下部的寬度與在第一層間絕緣膜內的深度成比例地逐漸減小，而接觸件的上部的寬度比接觸件的形成在第一層間絕緣膜中的下部的頂表面的寬度小。

11.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，還包括：

阻障金屬膜，其形成在接觸件的側壁處。

12.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中：

金屬線的側表面隨著金屬線的底表面的寬度比金屬線的頂表面的寬度小而逐漸變窄。

13.根據(jù)權利要求12所述的半導體器件，其中，金屬線的底表面的寬度與接觸件的頂表面的寬度基本相同。

14.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中：

接觸件的形成在刻蝕停止膜中的上部的寬度與接觸件的形成在第一層間絕緣層中的下部的底表面的寬度基本相同。

15.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，第一層間絕緣膜包括氧化物膜。

16.根據(jù)權利要求15所述的半導體器件，其中，刻蝕停止膜包括氮化物膜。

17.根據(jù)權利要求16所述的半導體器件，其中，第二層間絕緣膜包括氧化物膜。

18.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，接觸件包括鎢W。

19.根據(jù)權利要求10所述的半導體器件，其中，金屬線包括銅Cu。