[發明專利]一種擴散低表面濃度提效工藝在審
| 申請號： | 201710259509.1 | 申請日： | 2017-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN107086176A | 公開（公告）日： | 2017-08-22 |
| 發明（設計）人： | 沈亞光;李強強;魏飛 | 申請（專利權）人： | 通威太陽能（合肥）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明合眾智信知識產權事務所53113 | 代理人： | 張璽 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 擴散 表面 濃度 工藝 | ||
1.一種擴散低表面濃度提效工藝，其特征在于：包括以下步驟，
步驟1)裝片送片：將清洗甩干的硅片裝入石英舟，將裝滿硅片的石英舟緩緩推入擴散爐；
步驟2)升溫：對石英舟加熱，使溫度達到775℃-795℃；
步驟3)預氧化：通入O2進行預氧化，預氧化時間為180-220s，通入的O2流量為1900-2100sccm；
步驟4)第一次擴散：將爐內溫度升高至805℃-815℃，O2流量調整為500-700sccm，通入N2-POCl3且流量為1150-1250sccm，按照設定時間進行擴散，擴散時間為580s-620s；
步驟5)第一次推進：使表面的磷，向硅片體內推進，停止通入O2與N2-POCl3，推進280s-320s；
步驟6)第二次擴散：將爐內溫度升高至825℃-835℃，通入O2及N2-POCl3，其流量設置與步驟4)第一次擴散一致，按照設定時間進行擴散，擴散時間為280s-320s；
步驟7)第二次推進：停止通入O2與N2-POCl3，推進480s-520s；
步驟8)降溫：通入O2將流量設為1900-2100sccm，將爐內溫度降至基礎溫度；
步驟9)退舟：停止通入O2，將石英舟退出擴散爐。
2.根據權利要求1所述的一種擴散低表面濃度提效工藝，其特征在于：擴散爐內基礎溫度為760℃。
3.根據權利要求1所述的一種擴散低表面濃度提效工藝，其特征在于：步驟3)預氧化通入的O2流量控制在2000sccm。
4.根據權利要求1所述的一種擴散低表面濃度提效工藝，其特征在于：步驟4)第一次擴散通入的O2流量控制在600sccm，通入的N2-POCl3流量控制在1200sccm。
5.根據權利要求1所述的一種擴散低表面濃度提效工藝，其特征在于：步驟7)第二次推進時間為500s。
6.根據權利要求1所述的一種擴散低表面濃度提效工藝，其特征在于：第一次擴散與第一次推進爐內溫度相同，均為810℃，第二次擴散與第二次推進爐內溫度相同，均為830℃。
7.根據權利要求1所述的一種擴散低表面濃度提效工藝，其特征在于：每一步驟進行過程中均通入N2，流量為6000-10000sccm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
