[發明專利]一種太赫茲波波長檢測方法

有效

• 申請號: 201710259273.1
• 申請日: 2017-04-20
• 公開（公告）號: CN108731825B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 張凌;柳鵬;吳揚;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: G01J9/00
• 分類號: G01J9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太赫茲波波長檢測方法，其包括以下步驟：

使被檢測的太赫茲波直接入射在一太赫茲波接收裝置上，所述太赫茲波接收裝置檢測到所述被檢測的太赫茲波的第一強度數據；

使被檢測的太赫茲波透過一碳納米管結構之后入射在該太赫茲波接收裝置上，所述太赫茲波接收裝置檢測到所述被檢測的太赫茲波的第二強度數據，其中，所述碳納米管結構包括沿同一方向定向延伸的多個碳納米管；

根據該第二強度數據和第一強度數據計算出被檢測的太赫茲波的穿透率曲線；以及

通過將穿透率曲線與一標準數據進行比對，獲得該被檢測的太赫茲波的波長范圍，其中，該標準數據包括太赫茲波對該碳納米管結構的穿透率與波數的關系數據。

2.如權利要求1所述的太赫茲波波長檢測方法，其特征在于，所述碳納米管結構包括一碳納米管膜，所述碳納米管膜包括多個通過范德華力首尾相連的碳納米管束，每一碳納米管束包括多個相互平行的碳納米管。

3.如權利要求1所述的太赫茲波波長檢測方法，其特征在于，所述多個碳納米管的表面包覆有金屬導電層。

4.如權利要求1所述的太赫茲波波長檢測方法，其特征在于，所述碳納米管結構的邊緣固定于一支撐框架上，中間部分通過該支撐框架懸空設置。

5.如權利要求1所述的太赫茲波波長檢測方法，其特征在于，所述使被檢測的太赫茲波透過碳納米管結構的同時進一步包括：改變所述碳納米管結構中碳納米管的延伸方向與太赫茲波偏振方向的夾角；該標準數據包括太赫茲波對該碳納米管結構的穿透率與波數以及所述碳納米管結構中碳納米管的延伸方向與太赫茲波偏振方向的夾角的關系數據。

6.如權利要求5所述的太赫茲波波長檢測方法，其特征在于，所述改變碳納米管結構中碳納米管的延伸方向與太赫茲波偏振方向的夾角的方法為旋轉所述碳納米管結構。

7.如權利要求1所述的太赫茲波波長檢測方法，其特征在于，所述使被檢測的太赫茲波透過碳納米管結構的同時進一步包括：加熱該碳納米管結構，以及測量所述碳納米管結構的溫度；該標準數據包括太赫茲波對該碳納米管結構的穿透率與波數以及所述碳納米管結構的溫度的關系數據。

8.如權利要求1所述的太赫茲波波長檢測方法，其特征在于，所述使被檢測的太赫茲波透過碳納米管結構的同時進一步包括：向所述碳納米管結構兩端施加電壓；該標準數據包括太赫茲波對該碳納米管結構的穿透率與波數以及向所述碳納米管結構施加的電壓的關系數據。

9.如權利要求1所述的太赫茲波波長檢測方法，其特征在于，所述使被檢測的太赫茲波透過碳納米管結構的同時進一步包括：旋轉和加熱該碳納米管結構；該標準數據包括太赫茲波對該碳納米管結構的穿透率與波數以及所述碳納米管結構的溫度和旋轉角度的關系數據。

10.如權利要求7-9中任意一項所述的太赫茲波波長檢測方法，其特征在于，所述碳納米管結構懸空設置于一真空容器中。