[發(fā)明專利]一種基于FinFET器件的電流模D觸發(fā)器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710259231.8 | 申請日： | 2017-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN107196627B | 公開（公告）日： | 2020-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡建平;熊陽;柏文敬 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波大學(xué) |
| 主分類號： | H03K3/356 | 分類號： | H03K3/356;H03K3/012 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 finfet 器件 電流 觸發(fā)器 | ||
1.一種基于FinFET器件的電流模D觸發(fā)器，其特征在于包括第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第三P型FinFET管、第四P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管、第七N型FinFET管和第八N型FinFET管，所述的第一P型FinFET管、所述的第二P型FinFET管、所述的第三P型FinFET管和所述的第四P型FinFET管分別為低閾值P型FinFET管，所述的第一N型FinFET管、所述的第六N型FinFET管、所述的第七N型FinFET管和所述的第八N型FinFET管分別為低閾值N型FinFET管，所述的第二N型FinFET管、所述的第三N型FinFET管、所述的第四N型FinFET管和所述的第五N型FinFET管分別為高閾值N型FinFET管，所述的第一P型FinFET管的源極、所述的第二P型FinFET管的源極、所述的第三P型FinFET管的源極和所述的第四P型FinFET管的源極均接入電源，所述的第一P型FinFET管的前柵、所述的第一P型FinFET管的背柵、所述的第二P型FinFET管的前柵、所述的第二P型FinFET管的背柵、所述的第三P型FinFET管的前柵、所述的第三P型FinFET管的背柵、所述的第四P型FinFET管的前柵和所述的第四P型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的電流模D觸發(fā)器的第一控制端，所述的第二P型FinFET管的漏極、所述的第一N型FinFET管的前柵、所述的第一N型FinFET管的背柵、所述的第二N型FinFET管的漏極、所述的第三N型FinFET管的漏極和所述的第四N型FinFET管的前柵連接，所述的第一P型FinFET管的漏極、所述的第一N型FinFET管的漏極和所述的第二N型FinFET管的前柵連接，所述的第三P型FinFET管的漏極、所述的第四N型FinFET管的漏極、所述的第五N型FinFET管的漏極、所述的第六N型FinFET管的前柵和所述的第六N型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的電流模D觸發(fā)器的輸出端，所述的第四P型FinFET管的漏極、所述的第五N型FinFET管的前柵和所述的第六N型FinFET管的漏極連接且其連接端為所述的電流模D觸發(fā)器的反相輸出端，所述的第一N型FinFET管的源極、所述的第二N型FinFET管的源極、所述的第三N型FinFET管的源極和所述的第七N型FinFET管的漏極連接，所述的第四N型FinFET管的源極、所述的第五N型FinFET管的源極、所述的第六N型FinFET管的源極和所述的第八N型FinFET管的漏極連接，所述的第七N型FinFET管的前柵、所述的第七N型FinFET管的背柵、所述的第八N型FinFET管的前柵和所述的第八N型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的電流模D觸發(fā)器的第二控制端，所述的第七N型FinFET管的源極和所述的第八N型FinFET管的源極均接地，所述的第三N型FinFET管的前柵為所述的電流模D觸發(fā)器的輸入端，用于接入輸入信號，所述的第三N型FinFET管的背柵和所述的第五N型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的電流模D觸發(fā)器的時鐘端，用于接入時鐘信號，所述的第二N型FinFET管的背柵和所述的第四N型FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的電流模D觸發(fā)器的反相時鐘端，用于接入時鐘信號的反相信號；
所述的第一P型FinFET管、所述的第二P型FinFET管、所述的第三P型FinFET管和所述的第四P型FinFET管的閾值電壓均為0.17V，所述的第一N型FinFET管、所述的第六N型FinFET管、所述的第七N型FinFET管和所述的第八N型FinFET管的閾值電壓均為0.33V，所述的第二N型FinFET管、所述的第三N型FinFET管、所述的第四N型FinFET管和所述的第五N型FinFET管的閾值電壓均為0.70v。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于FinFET器件的電流模D觸發(fā)器，其特征在于所述的第一P型FinFET管鰭的個數(shù)為1，第二P型FinFET管鰭的個數(shù)為1，第三P型FinFET管鰭的個數(shù)為1，第四P型FinFET管鰭的個數(shù)為1，第一N型FinFET管鰭的個數(shù)為1，第二N型FinFET管鰭的個數(shù)為2，第三N型FinFET管鰭的個數(shù)為2，第四N型FinFET管鰭的個數(shù)為2，第五N型FinFET管鰭的個數(shù)為2，第六N型FinFET管鰭的個數(shù)為1，第七N型FinFET管鰭的個數(shù)為5，第八N型FinFET管鰭的個數(shù)為5。
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