[發明專利]一種過渡區結構

有效

• 申請號: 201710258517.4
• 申請日: 2017-04-19
• 公開（公告）號: CN106952946B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 馬榮耀;劉春華
• 申請（專利權）人: 華潤微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L27/088
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種過渡區結構，所述過渡區結構適用于具有超結結構的半導體器件，所述半導體器件包括復合結構，所述復合結構包括：

襯底，由具有第一導電類型的半導體材質形成；

外延層，所述外延層設置在所述襯底的上方，所述外延層的導電類型與所述襯底的導電類型相同；

多個具有第一導電類型的第一立柱及多個具有第二導電類型的第二立柱，相互間隔且垂直于所述襯底設置于所述外延層中，所述多個第一立柱與所述多個第二立柱形成超結結構；

所述復合結構包括元胞區、終端區及位于所述元胞區和所述終端區之間的過渡區；

所述過渡區具有一第二導電類型的第一摻雜區域，用以接觸位于所述過渡區的多個第二導電類型的所述第二立柱的頂部；

所述元胞區設置有MOS管器件結構，所述MOS管器件結構設置有具有第二導電類型的第二摻雜區域，用以形成所述MOS管器件結構的源區或者漏區；其特征在于，

臨近所述過渡區的所述第二摻雜區域通過一設置于所述外延層內的電阻結構連接所述第一摻雜區域；

所述電阻結構由一第二導電類型的第三摻雜區域形成，所述第三摻雜區域的摻雜濃度低于所述第一摻雜區域；

于所述半導體器件的截面角度，所述第三摻雜區域的一側接觸所述第一摻雜區域，所述第三摻雜區域的另一側接觸所述第二摻雜區域。

2.根據權利要求1所述的過渡區結構，其特征在于，所述第一摻雜區域的摻雜濃度與所述第二摻雜區域的摻雜濃度相同。

3.根據權利要求1所述的過渡區結構，其特征在于，所述電阻結構上方覆蓋有多晶硅層。

4.根據權利要求3所述的過渡區結構，其特征在于，所述MOS管器件結構具有多晶硅結構形成的柵極，所述多晶硅層與所述多晶硅結構由同一掩膜于同一工藝中形成。

5.根據權利要求1所述的過渡區結構，其特征在于，所述第一摻雜區域與所述第二摻雜區域由同一掩膜于同一離子注入工藝中形成。

6.根據權利要求1所述的過渡區結構，其特征在于，所述第三摻雜區域的摻雜濃度為N1e16cm^-3。

7.根據權利要求1所述的過渡區結構，其特征在于，所述元胞區、過渡區及終端區被設置于一具有第一導電類型的阱區內，所述阱區具有一第二導電類型的第四摻雜區域，所述第四摻雜區域成環形或者框形包圍所述阱區。

8.根據權利要求7所述的過渡區結構，其特征在于，所述第四摻雜區域具有與所述第三摻雜區域相同的摻雜濃度。

9.根據權利要求1所述的過渡區結構，其特征在于，所述第三摻雜區域成環形或者框形包圍所述元胞區。