[發(fā)明專利]一種過渡區(qū)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710258517.4
• 申請(qǐng)日: 2017-04-19
• 公開（公告）號(hào): CN106952946B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬榮耀;劉春華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華潤微電子（重慶）有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L27/088
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種過渡區(qū)結(jié)構(gòu)，所述過渡區(qū)結(jié)構(gòu)適用于具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合結(jié)構(gòu)包括：

襯底，由具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體材質(zhì)形成；

外延層，所述外延層設(shè)置在所述襯底的上方，所述外延層的導(dǎo)電類型與所述襯底的導(dǎo)電類型相同；

多個(gè)具有第一導(dǎo)電類型的第一立柱及多個(gè)具有第二導(dǎo)電類型的第二立柱，相互間隔且垂直于所述襯底設(shè)置于所述外延層中，所述多個(gè)第一立柱與所述多個(gè)第二立柱形成超結(jié)結(jié)構(gòu)；

所述復(fù)合結(jié)構(gòu)包括元胞區(qū)、終端區(qū)及位于所述元胞區(qū)和所述終端區(qū)之間的過渡區(qū)；

所述過渡區(qū)具有一第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)域，用以接觸位于所述過渡區(qū)的多個(gè)第二導(dǎo)電類型的所述第二立柱的頂部；

所述元胞區(qū)設(shè)置有MOS管器件結(jié)構(gòu)，所述MOS管器件結(jié)構(gòu)設(shè)置有具有第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)域，用以形成所述MOS管器件結(jié)構(gòu)的源區(qū)或者漏區(qū)；其特征在于，

臨近所述過渡區(qū)的所述第二摻雜區(qū)域通過一設(shè)置于所述外延層內(nèi)的電阻結(jié)構(gòu)連接所述第一摻雜區(qū)域；

所述電阻結(jié)構(gòu)由一第二導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)域形成，所述第三摻雜區(qū)域的摻雜濃度低于所述第一摻雜區(qū)域；

于所述半導(dǎo)體器件的截面角度，所述第三摻雜區(qū)域的一側(cè)接觸所述第一摻雜區(qū)域，所述第三摻雜區(qū)域的另一側(cè)接觸所述第二摻雜區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)域的摻雜濃度與所述第二摻雜區(qū)域的摻雜濃度相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電阻結(jié)構(gòu)上方覆蓋有多晶硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的過渡區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MOS管器件結(jié)構(gòu)具有多晶硅結(jié)構(gòu)形成的柵極，所述多晶硅層與所述多晶硅結(jié)構(gòu)由同一掩膜于同一工藝中形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)域與所述第二摻雜區(qū)域由同一掩膜于同一離子注入工藝中形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)域的摻雜濃度為N1e16cm^-3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述元胞區(qū)、過渡區(qū)及終端區(qū)被設(shè)置于一具有第一導(dǎo)電類型的阱區(qū)內(nèi)，所述阱區(qū)具有一第二導(dǎo)電類型的第四摻雜區(qū)域，所述第四摻雜區(qū)域成環(huán)形或者框形包圍所述阱區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的過渡區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第四摻雜區(qū)域具有與所述第三摻雜區(qū)域相同的摻雜濃度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過渡區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三摻雜區(qū)域成環(huán)形或者框形包圍所述元胞區(qū)。