[發(fā)明專利]用于光學(xué)性能精細(xì)調(diào)控的相變薄膜結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710257962.9
• 申請日: 2017-04-19
• 公開（公告）號: CN106953008B
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟云;王陽;溫帥
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;B82Y30/00
• 代理公司: 上海恒慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 張寧展

1.一種用于光學(xué)性能精細(xì)調(diào)控的相變薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于是一種“三明治”結(jié)構(gòu)的薄膜，上下兩層為二氧化硅層，中間為相變層，所述的相變層的材料為碳化鈦或碳化硅摻雜的銻-碲材料，相變層材料結(jié)構(gòu)通式為MC-(Sb₂Te₃)x，其中，M為鈦或硅，x的取值范圍為0.5＜X＜1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的二氧化硅層的厚度為40-200納米，中間相變層的厚度為10-50納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的薄膜結(jié)構(gòu)相變層采用磁控濺射法制備而成，且濺射時采用TiC或SiC合金靶及Sb₂Te₃靶共濺射。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的相變薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的中間相變層中的TiC或SiC以非晶態(tài)形式存在。