[發明專利]具有用于抑制假信號響應的吸收層的復合表面聲波SAW裝置

有效

• 申請號: 201710256865.8
• 申請日: 2017-04-19
• 公開（公告）號: CN107404302B
• 公開（公告）日: 2023-02-14
• 發明（設計）人: 達里烏斯·布拉卡;蘇雷什·斯里達朗;斯蒂芬·羅伊·吉爾伯特;理查德·C·魯比
• 申請（專利權）人: 安華高科技股份有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/145
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種表面聲波SAW裝置，其包括：

基底襯底，其包括硅或藍寶石；

聲波吸收層，其安置于所述基底襯底上；

壓電材料層，其安置于所述聲波吸收層上，所述壓電材料層包括LiNbO3或LiTaO3；及

至少一個叉指電極對，其安置于所述壓電材料層上，所述至少一個叉指電極對包括導電材料；

未經摻雜的硅玻璃USG層，所述USG層安置于所述至少一個叉指電極對與所述壓電材料層之間；或安置于所述至少一個叉指電極對及所述壓電材料層上，

其中所述聲波吸收層包括一種材料，所述材料具有在所述聲波吸收層內大體上俘獲在從所述壓電材料層到所述基底襯底的方向上傳播的聲波的性質。

2.根據權利要求1所述的SAW裝置，其中所述壓電材料層具有第一剪切速度，且所述基底襯底具有第二剪切速度，且所述聲波吸收層具有小于所述第一剪切速度且小于所述第二剪切速度的第三剪切速度。

3.根據權利要求1所述的SAW裝置，其中所述聲波吸收層包括電介質層。

4.根據權利要求1所述的SAW裝置，其中所述聲波吸收層包括硅低k樹脂及摻雜碳的氧化硅中的至少一者。

5.根據權利要求1所述的SAW裝置，其中所述基底襯底包括硅基底襯底或藍寶石基底襯底中的一者。

6.根據權利要求1所述的SAW裝置，其進一步包括溫度補償材料層，所述溫度補償材料層安置于所述至少一個叉指電極對與所述壓電材料層之間，或安置于所述至少一個叉指電極對及所述壓電材料層上。

7.一種表面聲波SAW裝置，其包括：

基底襯底；

壓電材料層；

至少一個叉指電極對，其安置于所述壓電材料層上；以及

聲波抑制層，其安置于所述壓電材料層與所述基底襯底之間，所述聲波抑制層為摻雜有雜質的經摻雜的壓電材料層，所述雜質對在從所述壓電材料層到所述基底襯底的方向上傳播的表面聲波造成粘滯損失，其中所述聲波抑制層經配置以抑制在從所述壓電材料層到所述基底襯底的方向上傳播的聲波。

8.根據權利要求7所述的SAW裝置，其中所述雜質包括氫或氧。

9.根據權利要求7所述的SAW裝置，其中所述壓電材料層具有第一剪切速度，且所述基底襯底具有第二剪切速度，且所述聲波抑制層具有小于所述第一剪切速度且小于所述第二剪切速度的第三剪切速度。

10.根據權利要求7所述的SAW裝置，其中所述基底襯底包括硅基底襯底或藍寶石基底襯底中的一者。

11.根據權利要求7所述的SAW裝置，其中所述壓電材料層包括LiNbO3或LiTaO3中的一者。

12.根據權利要求7所述的SAW裝置，其進一步包括溫度補償材料層，所述溫度補償材料層安置于所述至少一個叉指電極對與所述壓電材料層之間，或安置于所述至少一個叉指電極對及所述壓電材料層上。

13.根據權利要求7所述的SAW裝置，其中所述聲波抑制層包括電介質層。

14.根據權利要求7所述的SAW裝置，其中所述聲波抑制層包括硅低k樹脂及摻雜碳的氧化硅中的至少一者。