[發(fā)明專利]氧化鎵晶體的制造裝置和氧化鎵晶體的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710256274.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107304481B | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 干川圭吾;小林拓實(shí);大葉悅子;柳澤潤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 國立大學(xué)法人信州大學(xué);不二越機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C30B29/16 | 分類號(hào): | C30B29/16;C30B11/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 龐東成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化 晶體 制造 裝置 方法 | ||
1.一種氧化鎵晶體的制造裝置,其為由垂直布里奇曼爐構(gòu)成的氧化鎵晶體的制造裝置,該垂直布里奇曼爐具備:基體;配設(shè)于該基體上的具有耐熱性的筒狀的爐主體;使該爐主體閉塞的蓋體;配設(shè)于所述爐主體內(nèi)的發(fā)熱體;貫通所述基體并以上下自由移動(dòng)的方式設(shè)置的坩堝支承軸;和配設(shè)于該坩堝支承軸上并被所述發(fā)熱體所加熱的坩堝,所述氧化鎵晶體的制造裝置的特征在于,
所述坩堝為Rh含量10~30wt%的Pt-Rh系合金制且具有耐受1800℃的溫度的耐熱性的坩堝,
所述垂直布里奇曼爐為在氧化氣氛下被加熱至1800℃的溫度的高溫爐,所述爐主體的內(nèi)壁形成為由兩個(gè)以上具有所需高度的環(huán)狀的耐熱部件層疊而成的耐熱壁,并且,所述環(huán)狀的耐熱部件通過將兩個(gè)以上的分割片接合而形成為環(huán)狀,
所述發(fā)熱體為電阻加熱發(fā)熱體。
2.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵晶體的制造裝置,其特征在于,所述耐熱壁為氧化鋯制。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氧化鎵晶體的制造裝置,其特征在于,所述電阻加熱發(fā)熱體是以MoSi2為主材的電阻加熱發(fā)熱體。
4.如權(quán)利要求3所述的氧化鎵晶體的制造裝置,其特征在于,所述蓋體由絕熱材料形成,在該絕熱材料中配設(shè)有增強(qiáng)部件。
5.一種氧化鎵晶體的制造方法,其特征在于,使用權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的氧化鎵晶體的制造裝置,在氧氣氣氛下生長氧化鎵的晶體。
6.如權(quán)利要求5所述的氧化鎵晶體的制造方法,其特征在于,氧化鎵為β-Ga2O3。
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