[發明專利]氧化鎵晶體的制造裝置和氧化鎵晶體的制造方法

有效

• 申請號: 201710256274.0
• 申請日: 2017-04-19
• 公開（公告）號: CN107304481B
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 干川圭吾;小林拓實;大葉悅子;柳澤潤
• 申請（專利權）人: 國立大學法人信州大學;不二越機械工業株式會社
• 主分類號: C30B29/16
• 分類號: C30B29/16;C30B11/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成

1.一種氧化鎵晶體的制造裝置，其為由垂直布里奇曼爐構成的氧化鎵晶體的制造裝置，該垂直布里奇曼爐具備：基體；配設于該基體上的具有耐熱性的筒狀的爐主體；使該爐主體閉塞的蓋體；配設于所述爐主體內的發熱體；貫通所述基體并以上下自由移動的方式設置的坩堝支承軸；和配設于該坩堝支承軸上并被所述發熱體所加熱的坩堝，所述氧化鎵晶體的制造裝置的特征在于，

所述坩堝為Rh含量10～30wt%的Pt-Rh系合金制且具有耐受1800℃的溫度的耐熱性的坩堝，

所述垂直布里奇曼爐為在氧化氣氛下被加熱至1800℃的溫度的高溫爐，所述爐主體的內壁形成為由兩個以上具有所需高度的環狀的耐熱部件層疊而成的耐熱壁，并且，所述環狀的耐熱部件通過將兩個以上的分割片接合而形成為環狀，

所述發熱體為電阻加熱發熱體。

2.如權利要求1所述的氧化鎵晶體的制造裝置，其特征在于，所述耐熱壁為氧化鋯制。

3.如權利要求1或2所述的氧化鎵晶體的制造裝置，其特征在于，所述電阻加熱發熱體是以MoSi₂為主材的電阻加熱發熱體。

4.如權利要求3所述的氧化鎵晶體的制造裝置，其特征在于，所述蓋體由絕熱材料形成，在該絕熱材料中配設有增強部件。

5.一種氧化鎵晶體的制造方法，其特征在于，使用權利要求1～4中任一項所述的氧化鎵晶體的制造裝置，在氧氣氣氛下生長氧化鎵的晶體。

6.如權利要求5所述的氧化鎵晶體的制造方法，其特征在于，氧化鎵為β-Ga₂O₃。