[發(fā)明專利]離子導(dǎo)引裝置、方法及質(zhì)譜儀有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710256210.0 | 申請日: | 2017-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN108735572B | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程玉鵬;張小強(qiáng);孫文劍 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社島津制作所 |
| 主分類號: | H01J49/06 | 分類號: | H01J49/06;H01J49/42 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 高彥 |
| 地址: | 日本國京都府*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離子 導(dǎo)引 裝置 方法 質(zhì)譜儀 | ||
1.一種離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,包括:
第一電極組件,包括沿一空間軸的軸向平行放置的至少一對第一電極單元;其中,所述第一電極單元沿軸向?yàn)闊o分段的整體電極;
第二電極組件,包括沿所述軸向平行放置的至少一對第二電極單元;其中,各所述第二電極單元包括沿所述軸向排列設(shè)置的多個分段電極;
所述第一電極組件和第二電極組件所圍的空間中形成有沿所述軸向的離子傳輸通道;以及
電源裝置,用于在所述第一電極組件和第二電極組件中的一個上施加射頻電壓或在第一電極組件和第二電極組件上分別施加極性不同的射頻電壓,從而在垂直于所述空間軸的方向上形成射頻場來束縛離子,并且,在第二電極組件的至少一部分分段電極上分別施加直流電壓,從而在離子傳輸通道內(nèi)部形成直流電勢梯度分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述空間軸為直線軸、曲線軸或兩者組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述第一電極單元至少包含一個電極或者多個電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述第一電極組件與第二電極組件面向所述空間軸的表面相互平行或垂直。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述第一電極組件和第二電極組件中的至少一部分電極為板型電極、桿狀電極、附著于PCB或陶瓷基板的薄層電極中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述多個分段電極的分布方向與所述軸向的夾角保持不變或逐漸變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述多個分段電極中的至少兩個電極的尺寸或者形狀中的至少一種相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述射頻電壓的波形為正弦波、方波、鋸齒波、以及三角波中的一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述極性不同的射頻電壓是極性相反且幅值和頻率相同的射頻電壓、或者是至少相位、幅值或頻率中有一個不同的射頻電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述射頻場為四極場或者多極場。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述離子導(dǎo)引裝置內(nèi)具有氣體;所述氣體的氣壓值位于以下范圍中的一個內(nèi):a)2×105Pa~2×103Pa;b)2×103Pa~20Pa;c)1Pa~2Pa;d)2Pa~2×10-1Pa;e)2×10-1Pa~2×10-3Pa;f)2×10~3Pa。
12.一種離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,包括:
第一電極組件,包括沿一空間軸的軸向平行放置的至少一對第一電極單元;其中,所述第一電極單元沿軸向?yàn)闊o分段的整體電極;
第二電極組件,包括沿所述軸向平行放置的至少一對第二電極單元;各所述第二電極單元朝向所述空間軸的表面設(shè)有高阻材料層;
所述第一電極組件和第二電極組件所圍的空間中形成有沿所述軸向的離子傳輸通道;以及
電源裝置,用于在所述第一電極組件和第二電極組件中的一個上施加射頻電壓或在第一電極組件和第二電極組件上分別施加極性不同的射頻電壓,從而在垂直于所述空間軸的方向上形成射頻場來束縛離子,并且,在第二電極組件施加直流電壓,從而在離子傳輸通道內(nèi)部形成直流電勢梯度分布。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的離子導(dǎo)引裝置,其特征在于,所述空間軸為直線軸、曲線軸或兩者組合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社島津制作所,未經(jīng)株式會社島津制作所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710256210.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:二維MS/MS采集模式
- 下一篇:一種制作石英碘鎢加熱燈管的流程方法





