[發明專利]一種HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜及其制備方法有效
| 申請號: | 201710255983.7 | 申請日: | 2017-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN107082579B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發明(設計)人: | 談國強;郭美佑;楊瑋;劉云;任慧君;夏傲 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C03C17/34 | 分類號: | C03C17/34;C04B35/40;C04B35/622 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 岳培華 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 hosrmnzn 共摻鐵酸鉍多鐵 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜,其特征在于,所述HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜為Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜,x=0.01~0.04,該薄膜為扭曲的菱方鈣鈦礦結構,空間群為三方相的R3m:R和R3c:H共存;所述HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜在1080kV/cm測試電場下的鐵電正反轉電流為1.5mA,鐵電正漏導電流為0.15mA,鐵電負反轉電流為1.8mA,鐵電負漏導電流為0.13mA,具有高反轉電流的矩形度電滯回線;所述HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜在1kHz頻率下,1080kV/cm測試電場下的剩余極化強度為135μC/cm2,矯頑場為300kV/cm,鐵電疇易翻轉。
2.權利要求1中任意一項所述的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:按摩爾比為0.94:0.08:0.03:(0.97-x):0.03:x將硝酸鉍、硝酸鈥、硝酸鍶、硝酸鐵、醋酸錳和硝酸鋅溶于乙二醇甲醚中,攪拌均勻后加入醋酸酐,繼續攪拌均勻,得到前驅液;其中x=0.01~0.04;
步驟2:將前驅液旋涂在FTO/glass基片上,得到濕膜,濕膜經勻膠后在190~220℃下烘烤得干膜,再于540~560℃下在空氣中退火,得到晶態Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜;
步驟3:將晶態Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜冷卻至室溫,重復步驟2直到達到所需厚度,即得到HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜;
所述步驟2中勻膠后的烘烤時間為8~10min;
所述步驟2中的退火時間為20~25min。
3.根據權利要求2所述的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟1中前驅液中金屬離子的總濃度為0.2~0.4mol/L。
4.根據權利要求2所述的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜的制備方法,其特征在于,所述前驅液中乙二醇甲醚和醋酸酐的體積比為(2.5~3.5):1。
5.根據權利要求2所述的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟2進行前先將FTO/glass基片清洗干凈,然后在紫外光下照射,使FTO/glass基片表面達到原子清潔度。
6.根據權利要求2所述的HoSrMnZn共摻鐵酸鉍多鐵薄膜的制備方法,其特征在于,所述步驟2中勻膠時的勻膠轉速為3800~4000r/min,勻膠時間為12~18s。
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