[發明專利]陣列基板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201710255927.3 | 申請日: | 2017-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN107015405A | 公開(公告)日: | 2017-08-04 |
| 發明(設計)人: | 胡偉;劉信;李志勇;陳剛;楊妮 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 汪源,陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術
薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid Cryst-al Display,簡稱:TFT-LCD)的基本結構通常包括陣列基板(Array Substrate)和彩膜基板(Color Film Substrate,簡稱:CF substrate),以及設置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶(Liquid Crystal,簡稱:LC),在陣列基板和彩膜基板的表面還設置有對液晶具有取向作用的配向膜層(Polyimide film,簡稱:PI film),配向膜層的材料為聚酰亞胺。
現有技術中,為了實現像素的高開口率以達到降低背光功耗的目的,陣列基板中的公共電極設置的寬度往往較小,但該設置同時也導致了設置方向與數據線的設置方向相同的像素電極的一側邊緣和與該像素電極的一側邊緣對應設置的公共電極在陣列基板上的正投影的重疊部分的寬度較小,使得與數據線的設置方向相同的像素電極的一側邊緣和與該像素電極對應設置的公共電極之間產生的水平邊緣電場強度增強。
但在較強的水平邊緣電場強度和在該像素電極的一側邊緣附近的段差區域的影響的情況下,由于位于像素電極之上的配向膜層在該段差區域摩擦取向后的錨定力較弱,因此容易使得像素電極的一側邊緣附近容易出現顯示殘影的顯示缺陷。
發明內容
本發明提供一種陣列基板及顯示裝置,用于解決在像素電極的一側邊緣附近容易產生顯示殘影的問題。
為實現上述目的,本發明提供了一種陣列基板,該陣列基板包括第一襯底基板和位于所述第一襯底基板之上的公共電極、多個柵線和多個數據線;所述柵線和所述數據線限定出像素單元,所述像素單元包括像素電極和與所述像素電極連接的薄膜晶體管,所述像素電極的一側邊緣在所述第一襯底基板上的正投影與對應設置的公共電極在所述第一襯底基板上的正投影部分重疊,且重疊部分的寬度為第一設定寬度以使所述像素電極與所述公共電極之間產生的水平邊緣電場的強度減弱。
可選地,所述第一設定寬度的范圍為3微米至6微米。
可選地,所述第一設定寬度為4.5微米。
可選地,所述像素電極的與一側邊緣相對設置的另一側邊緣在所述第一襯底基板上的正投影和與另一側邊緣對應設置的公共電極在所述第一襯底基板上的正投影部分重疊,且重疊部分的寬度為第二設定寬度。
可選地,所述第二設定寬度的范圍為1微米至6微米。
可選地,所述第二設定寬度為2微米。
可選地,所述第一設定寬度大于所述第二設定寬度。
可選地,與所述像素電極的一側邊緣對應設置的公共電極的寬度大于與所述像素電極的一側邊緣相對設置的另一側邊緣對應設置的公共電極的寬度。
可選地,所述與所述像素電極一側邊緣對應設置的公共電極沿所述數據線設置的方向設置,所述與所述像素電極另一側邊緣對應設置的公共電極沿所述數據線設置的方向設置。
為實現上述目的,本發明還提供了一種顯示裝置,該顯示基板包括相對設置的對置基板和上述的陣列基板。
本發明的有益效果:
本發明所提供的陣列基板及顯示裝置中,像素電極的一側邊緣在第一襯底基板上的正投影與對應設置的公共電極在第一襯底基板上的正投影部分重疊,且重疊部分的寬度為第一設定寬度,從而有效減弱了在摩擦取向弱區附近的像素電極與公共電極之間產生的水平邊緣電場強度,避免了在像素電極的一側邊緣附近產生顯示殘影。
附圖說明
圖1為本發明實施例一提供的一種陣列基板的結構示意圖;
圖2為圖1中A-A’向剖面圖;
圖3為本實施例提供的陣列基板中配向膜層摩擦取向的摩擦方向示意圖;
圖4為本實施例提供的陣列基板的像素電極與公共電極在像素邊緣產生的水平邊緣電場的分布示意圖;
圖5為本實施例提供的陣列基板的像素電極與公共電極在像素邊緣產生的水平邊緣電場分布與現有技術中像素邊緣的水平邊緣電場的分布對比示意圖;
圖6為本發明實施例二提供的一種顯示裝置的結構示意圖。
具體實施方式
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案,下面結合附圖對本發明提供的發光器件和顯示裝置進行詳細描述。
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