[發(fā)明專利]共聚聚丙烯絕緣電纜的半導電內(nèi)屏蔽材料及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710255194.3
• 申請日: 2017-04-19
• 公開（公告）號: CN106867115B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設計）人: 張文龍;高麗平;趙洪
• 申請（專利權）人: 哈爾濱理工大學
• 主分類號: C08L23/14
• 分類號: C08L23/14;C08L53/02;C08L75/04;C08L91/06;C08L23/08;C08K13/02;C08K3/04;C08K5/134;C08K5/098;C08K5/372
• 代理公司: 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732
• 代理人: 周新楣

本發(fā)明屬于電纜絕緣材料加工技術領域，具體涉及一種共聚聚丙烯絕緣電纜的半導電內(nèi)屏蔽材料及其制備方法。該材料為共聚聚丙烯樹脂為100份，SEBS為0~40份，TPU為0~20份，導電炭黑為10~50份，抗銅劑為0.2~0.5份，抗氧劑為0.2~1份及潤滑劑為0.5~2份。該制備方法為按配方比例稱取個成分混合后加入到流變儀中，在170~210℃下熔融共混，轉速為60~80 r/min，共混15?~30 min后出料；將共混后獲得的物料放入1mm厚的模具中，并在平板硫化機中進行壓制成片，溫度為120~220℃，在l0~15Mpa的壓力下保壓10~15min后取出，自然冷卻到室溫后。

技術領域：

本發(fā)明屬于電纜絕緣材料加工技術領域，具體涉及一種共聚聚丙烯絕緣電纜的半導電內(nèi)屏蔽材料及其制備方法。

背景技術：

隨著科技的發(fā)展，人們對環(huán)境質(zhì)量的要求越來越高 。近年來，可回收聚丙烯絕緣電纜料成為國內(nèi)外研究的熱點，因此與之相配套的非交聯(lián)聚丙烯絕緣半導電內(nèi)外屏蔽料的開發(fā)勢在必行。半導電內(nèi)屏蔽層對電纜的保護起著非常重要的作用，其性能指標要求嚴格，要求電阻率低、表面光滑連續(xù)，與金屬的附著能力強、良好的力學性能和熱學性能。

2016年中國專利申請公布號CN 106009265A涉及一種聚丙烯絕緣電纜的半導電屏蔽料的制備方法，其是由以下重量份數(shù)的原料組成：聚丙烯基樹脂100份，導電炭黑5-40份，抗氧劑0.5-5份，潤滑劑2-8份。制備出來半導電屏蔽材料，能達到很低的體積電阻率，具有很好的延展性和較高的熔點，保證在電纜運行過程中能正常工作。采用聚丙烯基樹脂作為半導電屏蔽材料的基體，與聚丙烯絕緣材料有很好的相容性。但該專利沒有對半導電屏蔽料進行熱性能指標測試。由于電纜在使用過程中容易產(chǎn)生熱量，且半導電內(nèi)屏蔽料與導體緊密結合，散熱性差。因此半導電內(nèi)屏蔽料的熱性能指標非常重要，直接影響電纜的使用壽命。因此，本專利提出一種耐熱性能良好的共聚聚丙烯樹脂半導電內(nèi)屏蔽材料及其制備方法。

發(fā)明內(nèi)容：

本發(fā)明彌補和改善了上述現(xiàn)有技術的不足之處，提供了一種可回收聚丙烯絕緣電纜的半導電內(nèi)屏蔽材料的制備方法，制備出與聚丙烯絕緣層有較好的相容性且體積電阻率小、熱學性能和力學性能優(yōu)良、與金屬附著性好的聚丙烯絕緣電纜的半導內(nèi)電屏蔽料。

本發(fā)明采用的技術方案為：一種共聚聚丙烯絕緣電纜的半導電內(nèi)屏蔽材料，其各成分及重量份為共聚聚丙烯樹脂為100份，SEBS為0~40份，TPU為0~20份，導電炭黑為10~50份，抗銅劑為0.2~0.5份，抗氧劑為0.2~1份及潤滑劑為0.5~2份。

所述的導電炭黑為乙炔炭黑。

所述的共聚聚丙烯樹脂為聚丙烯K8003、聚丙烯K8303、聚丙烯K7726或聚丙烯EPS30R中的一種。

所述的抗氧劑為β-（3,5-二叔丁基-4-羥基苯基）丙酸正十八碳醇酯【抗氧劑1076】、四{β-（3,5-二叔丁基-4-羥基苯基）丙酸}季戊四醇酯【抗氧劑1010】、4,4'-硫代雙(6-叔丁基-3-甲基苯酚) 【抗氧劑300】、三(2,4-二叔丁基 )亞磷酸苯酯【抗氧劑168】或1,2—雙(3,5—二叔丁基—4—羥基—苯基丙酸)【抗氧劑B-102】中的一種或一種以上。

所述的抗銅劑為抗銅劑MD-1024、抗銅劑MDA-5或抗銅劑MDA-6的一種。

所述的潤滑劑為EVA蠟、硬脂酸鎂或微晶石蠟中的一種或一種以上。

一種共聚聚丙烯絕緣電纜的半導電內(nèi)屏蔽材料的制備方法，該制備方法包括以下步驟：

步驟一、按配方比例稱取共聚聚丙烯樹脂和SEBS并將其混合均勻，加入到流變儀中制成母料；